[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。以第一光刻胶层为蚀刻掩模蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，岛状图案与第一导电层的汇流条图案通过环形沟槽间隔开。形成连接图案以连接岛状图案和汇流条图案。在第一导电层和连接图案上方形成第二光刻胶层。第二光刻胶层包括在岛状图案上方的开口。在开口中形成在岛状图案上的第二导电层。去除第二光致光刻胶层，并去除连接图案，从而形成凸块结构。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着具有更好性能的消费设备响应于消费者需求而变得越来越小，这些设备的各个组件的尺寸也必然减小。构成诸如移动电话、平板电脑等消费设备的主要组件的半导体器件已经变得越来越小。半导体器件尺寸的减小伴随着半导体制造技术的进步，诸如在半导体器件和另外电子器件或电路板之间形成连接。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，方法包括：形成下部导电图案，下部导电图案包括多个导电图案在第一方向上排列的第一列图案和多个导电图案在第一方向上排列的第二列图案，第一列和第二列在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻；以及形成上部导电图案，上部导电图案包括多个导电图案在第一方向上排列的第三列图案和多个导电图案在第一方向上排列的第四列图案，第三列和第四列在第二方向上彼此相邻，其中：第一列和第三列在平面图中至少部分地彼此重叠，第二列和第四列在平面图中至少部分地彼此重叠，并且上部导电图案形成为使得在第一列和第二列的第一方向上延伸的第一中心线从第三列和第四列的在第一方向上延伸的第二中心线在第二方向上以大于0.1μm的偏移量偏移。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，方法包括：形成在第一方向上排列并且嵌入第一介电层中的多个第一导电图案；在多个第一导电图案和第一介电层上方形成第二介电层；通过第一图案化操作在第二介电层中形成多个开口，每个开口位于多个第一导电图案中的对应一个上方；在第二介电层上方和多个开口中形成导电材料的毯式层；通过第二图案化操作图案化导电材料的毯式层以形成与多个第一导电图案中的对应一个连接的多个第二导电图案；以及在多个第二导电图案上方形成第三介电层，其中，在第一图案化操作中，多个开口作为整体在第一方向上从多个第一导电图案作为整体在平面图中以大于0.1μm的偏移量偏移。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种半导体器件，半导体器件包括：半导体电路，设置在衬底上方；下部导电图案，设置在半导体电路上方并且电耦合到半导体电路，下部导电图案包括多个导电图案在第一方向上排列的图案的第一列和多个导电图案在第一方向上排列的图案的第二列，第一列和第二列在平面图中在与第一方向交叉的第二方向上相邻；第一介电层，设置在下部导电图案上方；上部导电图案，设置在下部导电图案上方，上部导电图案包括多个导电图案在第一方向上排列的图案的第三列和多个导电图案在第一方向上排列的图案的第四列，第三列和第四列在平面图中在第二方向上相邻；以及第二介电层，设置在上部导电图案上方，其中：在平面图中，在第一列和第二列之间在第一方向上延伸的第一中心线从在第三列和第四列之间在第一方向上延伸的第二中心线在第二方向上偏移。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据本公开实施例的半导体器件的顺序制造操作的阶段中的一个。

图2示出了根据本公开实施例的半导体器件的顺序制造操作的阶段中的一个。

图3示出了根据本公开实施例的半导体器件的顺序制造操作的阶段中的一个。

图4示出了根据本公开实施例的半导体器件的顺序制造操作的阶段中的一个。