[发明专利]一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法

说明书

本发明涉及一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法，所述焊接方法包括如下步骤：(1)ITO靶材与Mo背板分别升温至目标温度；(2)维持ITO靶材与Mo背板的温度不变，对ITO靶材的焊接面以及Mo背板的焊接面进行浸润；(3)于Mo背板的焊接面形成焊料槽，并在焊料槽中添加熔融的焊料，将ITO靶材与焊料槽贴合设置；(4)ITO靶材的表面设置缓冲层，施加压力过程中自然降温，完成ITO靶材与Mo背板的焊接。本发明提供的焊接方法，ITO靶材与Mo背板在焊接过程中不易变形，且焊接结合率高，提高了ITO靶材与背板的焊接质量，保证了磁控溅射的质量。

技术领域

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种靶材与背板的绑定方法，尤其涉及一种ITO靶材与Mo背板的钎焊方法。

背景技术

溅射镀膜技术通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶材，击出阴极靶材原子或分子，飞向被镀基体表面沉积薄膜。目前溅射镀膜技术包括射频溅射、三级溅射以及磁控溅射，其中，磁控溅射由于相对其它溅射技术具有较高的镀膜速率，成为目前的主流镀膜方法。

ITO(铟锡氧化物)靶材是生产ITO薄膜的原材料，ITO平面靶材或旋转靶材的绑定质量直接影响ITO薄膜生产时的导电和导热性能。ITO平面靶材或旋转靶材的导电和导热性能不良，直接影响生产所得ITO薄膜的品质。由于ITO靶材的材质偏硬，在实际生产中因冷热温度急剧变化产生应力聚集而产生破裂，焊接结合率低，生产效率不高。

CN 113699499A公开了一种靶材结构及其制作方法，所述靶材结构包括铜背板，铜背板上设有靶材，靶材分割成若干块设在铜背板上，每块靶材与铜背板之间设有绑定金属层，所述绑定金属层由铜铟合金成型，若干块靶材之间形成靶材间隙，靶材间隙设有填充物。其通过靶材间隙填充物的设置，阻挡高能电子直接轰击裸露的铜背板，阻挡溅射出来的铜原子污染靶材材料以及器件中的薄膜纯度，有利于综合靶材由于热胀冷缩而产生的拉伸的应力，减少了靶材开裂和变形的风险。但由于其将靶材分块，在实际生产中难以保证靶材设置的平面度，进而影响溅射效果。

CN 103737140A公开了一种ITO靶材与铜背板的绑定方法，该ITO靶材与铜背板的绑定方法将ITO靶材放置于铜背板上；对铜背板进行加热，通过钎焊将所述ITO靶材贴合在铜背板上；及在ITO靶材的远离所述铜背板的表面上防止配重块，待所述ITO靶材冷却后取下所述配重块的步骤。该方法中，铜背板在升温过程中的变形量减少，提高了粘贴面的平整度，提高了ITO靶材的绑定质量，而配重块的设置解决了铟流动性不均匀的问题，避免了粘贴面气孔的产生。但在实际生产过程中，难以可以靶材与背板膨胀系数不同带来的形变问题。

CN 111014933A公开了一种提升靶材焊合率的方法，所述方法包括提供一背板，其在一表面规定为第一焊合面；提供一靶材，其在一表面规定为第二焊合面；在焊料熔融状态下，对第一焊合面金属化处理，其面上形成第一焊料层；在焊料熔融状态下，对第二焊合面金属化处理，其面上形成第二焊料层，在焊料熔融状态下将超声波振动施加于焊接部位焊料，让第一焊料层与第二焊料层进行软焊接合。其通过多层焊料层的设置提高了靶材与背板的焊合率，但对施加超声波的操作要求较高，工业生产效率较低。

对此，需要提供一种适用于ITO靶材与Mo背板的焊接方法，使该焊接方法操作简单，适用于工业化生产，且使ITO靶材与Mo背板具有较高的焊接结合率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法，该焊接方法能够克服靶材与背板在焊接过程中的变形，能够保证靶材与背板的焊接质量，进而保证磁控溅射的效果。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法，所述焊接方法包括如下步骤：

(1)ITO靶材与Mo背板分别升温至目标温度；