[发明专利]一种耐等离子体刻蚀绝缘介质板及其制备方法在审
| 申请号： | 202210667348.0 | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN114900939A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈旭东;冯峰;杜鹏程;田杏欢;成星;李庆 | 申请（专利权）人： | 重庆丝路智能制造研究院有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 404100 重庆市南*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 绝缘 介质 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、研磨绝缘介质板及制备薄膜材料；
S2、在绝缘介质板上喷涂薄膜材料；
S3、热处理制得成品。
2.根据权利要求1所述耐等离子刻蚀的绝缘介质板的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，绝缘介质板双面研磨。
3.根据权利要求1所述的耐等离子刻蚀的绝缘介质板制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，利用磨料研磨绝缘介质板，所述磨料包括高硬度陶瓷粉、化学分散剂与去离子水。
4.根据权利要求3所述的耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于：所述高硬度陶瓷粉、化学分散剂与去离子水的质量份数比为(0.3-0.6)：(0.1-0.2)：(0.5-0.9)，所述高硬度陶瓷粉的粒度为1-10微米。
5.根据权利要求1所述的耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于：其特征在于：所述步骤S1中，所述薄膜材料包括基体和增强体，所述基体喷涂在绝缘介质板上，所述增强体喷涂在基体上。
6.根据权利要求5所述的耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，所述基体为纳米氧化铝溶胶，所述基体的成膜厚度为0.1-0.5㎜。
7.根据权利要求5所述的耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于：所述增强体为Al2O3填充后的聚四氟乙烯，所述增强体的成膜厚度为0.1-0.5mm。
8.根据权利要求7所述的耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于，所述增强体的制备方法为：
A1、硅烷偶联剂对Al2O3进行表面改性；
A2、抽滤得到沉淀物，甲苯洗涤沉淀物后烘干，得到改性后的Al2O3；
A3、将改性后的Al2O3加入至聚四氟乙烯浓缩水分散液中，搅拌后制得增强体。
9.根据权利要求8所述的耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于：所述改性Al2O3与聚四氟乙烯的重量比例为(60-80)：(20-40)。
10.根据权利要求1-9任意一项所述制备方法而制得的耐等离子刻蚀绝缘介质板。
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