[发明专利]一种耐等离子体刻蚀绝缘介质板及其制备方法

说明书

本发明涉及高压放电绝缘介质板技术领域，尤其涉及一种耐等离子体刻蚀的绝缘介质板及其制备方法，包括以下步骤：S1、研磨绝缘介质板及制备薄膜材料；S2、在绝缘介质板上喷涂薄膜材料；S3、热处理制得成品。本发明中的绝缘介质板表面粗糙化处理后喷涂薄膜，能有效保护绝缘介质板材料不被等离子刻蚀和不被高压击穿。

技术领域

本发明涉及绝缘介质板的技术领域，尤其涉及一种耐等离子体刻蚀绝缘介质板及其制备方法。

背景技术

低温等离子体技术是一个集物理学、化学、生物学和环境科学于一体的交叉综合性技术，在空气净化、杀局消毒、除臭等方面得到了广泛的应用。该技术显著特点是对污染物兼具物理效应、化学效应和生物效应，且有能耗低、效率高、无二次污染等明显优点。其净化作用机理包含两个方面：一是在产生等离子体的过程中，高频放电所产生的瞬间高能破坏一些有害气体分子内的化学键，使之分解为单质原子或无害分子；二是等离子体中包含大量的高能电子、正负离子、激发态粒子和具有强氧化性的自由基，这些活性粒子和部分臭气分子碰撞结合，在电场作用下，使臭气分子处于激发态。当臭气分子获得的能量大于其分子键能的结合能时，臭气分子的化学键断裂，直接分解成单质原子或由单一原子构成得无害气体分子。同时产生的大量·OH、·HO2、·O等活性自由基和氧化性极强的O3，与有害气体分子发生化学反应，最终生成无害产物。

在低温等离子体中，引用最广泛的是介质阻挡放电等离子体技术。从放电结构上讲，介质阻挡放电装置主要包含一个绝缘介质板和两个放电电极，其产生等离子体的必要条件是需要耐高压且介电常数稳定的绝缘介质材料，如陶瓷材料、无机复合材料和有机高分子等绝缘材料。陶瓷材料具有优良的耐压性能及稳定性，但也有脆性大、异性件加工难度低的固有特性，对低温等离子技术的发展阻力很大。无机复合材料和有机高分子等绝缘材料虽有好的耐压性能和易加工性，但是在高能等离子体的作用下，其结构会被破坏，材料表面的稳定性随着使用时间的增加逐渐变差，表面产生极强的亲水性，对等离子体放电的稳定性产生很大的影响，绝缘介质的寿命随之降低，等离子体设备的使用成本也随之增大。

因此，亟需改善无机复合材料和有机高分子绝缘材料的性能，发展抗等离子刻蚀的绝缘介质板刻不容缓。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明的目的是通过以下技术方案实现的：提供一种耐等离子刻蚀绝缘介质板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、研磨绝缘介质板及制备薄膜材料；

S2、在绝缘介质板上喷涂薄膜材料；

S3、热处理制得成品。

优选地，所述步骤S1中，绝缘介质板双面研磨。

优选地，所述步骤S1中，利用磨料研磨绝缘介质板，所述磨料包括高硬度陶瓷粉、化学分散剂与去离子水。

优选地，所述高硬度陶瓷粉、化学分散剂与去离子水的比例为(0.3-0.6)：(0.1-0.2)：(0.5-0.9)，所述高硬度陶瓷粉的粒度为1-10微米。

优选地，所述步骤S1中，所述薄膜材料包括基体和增强体，所述基体喷涂在绝缘介质板上，所述增强体喷涂在基体上。

优选地，所述基体为纳米氧化铝溶胶，所述基体的成膜厚度为0.1-0.5㎜。

优选地，所述增强体为Al₂O₃填充后的聚四氟乙烯，所述增强体的成膜厚度为0.1-0.5mm。

优选地，所述增强体的制备方法为：

A1、硅烷偶联剂对A l₂O₃进行表面改性；