[发明专利]一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法及LED显示屏

权利要求书

1.一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法，其特征在于，所述方法包括：

分别在不同的衬底上进行外延层生长得到不同波段的各个外延片，其中外延片包括红光外延片、绿光外延片及蓝光外延片；

在各个外延片表面的第二半导体层上形成透明导电层，并在透明导电层上进行刻蚀形成露出第一半导体层的mesa台阶及用于切割的切割道；

在各个外延片的透明导电层及所露出的第一半导体层上分别形成不同极性的电极层，并在外延片上形成绝缘反射层且露出其中一极性的电极层；

在各个外延片上形成联通所露出的至少两个电极层的高反射金属层，以使将所联通的至少两个LED芯片最终组合形成LED芯片组；

在各个外延片上形成钝化层，且露出另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层；

在所露出的另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层上分别形成金属键合层；

对LED芯片组的衬底进行研磨减薄及沿LED芯片组中外围的LED芯片处的切割道进行切割；

对各个波段的LED芯片组依次进行测试、分选、及封装操作，以形成LED显示屏。

2.根据权利要求1所述的用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法，其特征在于，所述在透明导电层上进行刻蚀形成露出第一半导体层的mesa台阶及用于切割的切割道的步骤包括：

在透明导电层上进行光刻形成mesa的特殊图案掩膜，所述光刻包括涂胶、曝光及显影操作；

通过湿法腐蚀去除掉掩膜外的透明导电层，使其露出第二半导体层；

通过ICP刻蚀至露出第一半导体层形成mesa台阶，并进行去胶操作；

在外延片表面上进行光刻形成ISO的特殊图案掩膜；

通过ICP刻蚀形成切割道，并进行去胶操作。

3.根据权利要求1所述的用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法，其特征在于，所述在各个外延片的透明导电层及所露出的第一半导体层上分别形成不同极性的电极层的步骤包括：

在外延片表面上进行光刻形成电极层的特殊图案掩膜；

通过金属蒸镀工艺将金属蒸镀在透明导电层及所露出的第一半导体层上分别形成不同极性的电极层，并进行去胶操作。

4.根据权利要求1所述的用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法，其特征在于，所述绝缘反射层包括绝缘保护层和反射层；

所述在外延片上形成绝缘反射层且露出其中一极性的电极层的步骤包括：

在外延片上依次沉积绝缘保护层和反射层；

在外延片表面上进行光刻形成绝缘反射层的特殊图案掩膜；

通过ICP刻蚀至露出其中一极性的电极层，并进行去胶操作。

5.根据权利要求1所述的用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法，其特征在于，所述在各个外延片上形成钝化层，且露出另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层的步骤包括：

在高反射金属层上进行光刻形成高反射金属层的特殊图案掩膜；

将另一极性的电极层上方的高反射金属层进行刻蚀至露出绝缘反射层，并进行去胶操作；

在外延片上沉积钝化层，并在钝化层上进行光刻形成钝化层的特殊图案掩膜；

将另一极性的电极层上方的绝缘反射层及钝化层进行刻蚀至露出电极层，以及将其中一LED芯片中的高反射金属层上方的钝化层进行刻蚀至露出高反射金属层。

6.根据权利要求1所述的用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法，其特征在于，所述在所露出的另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层上分别形成金属键合层的步骤包括：

在LED芯片组的各个LED芯片上进行光刻形成金属键合层的特殊图案掩膜；

通过金属蒸镀工艺将金属蒸镀在各个LED芯片所露出的另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层上分别形成金属键合层，并进行去胶操作。