[发明专利]一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法及LED显示屏在审
申请号: | 202210667986.2 | 申请日: | 2022-06-14 |
公开(公告)号: | CN115020440A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 曹斌斌;顾伟;简弘安;胡加辉;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人: | 彭琰 |
地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 间距 亮度 led 显示屏 制作方法 | ||
本发明提供一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法及LED显示屏,方法包括:在衬底上进行外延层生长得到外延片;在外延片上形成透明导电层,在透明导电层上形成mesa台阶及切割道;在外延片的透明导电层及第一半导体层上形成电极层,在外延片上形成绝缘反射层且露出其中一极性的电极层;在外延片上形成联通所露出的至少两个电极层的高反射金属层,以将所联通的各个LED芯片组成LED芯片组;在外延片上形成钝化层,且露出另一极性的电极层及其中一LED芯片的高反射金属层;并分别形成金属键合层;对LED芯片组的衬底进行研磨减薄及沿切割道切割;对各个LED芯片组依次进行测试、分选、及封装操作。本发明解决现有LED芯片切割分选封装效率低及LED亮度不够的问题。
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别涉及一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法及LED显示屏。
背景技术
随着LED显示技术的不断发展,小间距LED显示屏在未来的显示领域有着巨大的潜力,随着显示屏对像素密度的要求日益增加,即LED芯片尺寸以及单元间距越来越小,在封装端的困难会越来越大,在一张4寸外延片在经过芯片前段制程完成后形成一颗颗长宽为50-400μm芯片,后经过研磨切割点测分选,一张外延片上制作数十万数量级的芯片,后对蓝绿红三个波段的芯片进行封装,每三个不同颜色的芯片组成一个像素点。
随着芯片尺寸的缩小,一张外延片切割以及分选需要的时间会越来越多,对产能造成极大的影响,芯片尺寸的进一步缩小,从芯片端到封装端的难度也会越来越高,尺寸越小转移难度越大,封装段现在只能一颗芯片一颗芯片进行封装这无疑极大的减慢了封装速度,且当芯片尺寸小到一定尺寸接近micro级别,将无法进行分选以及封装的操作。
另外,大多数情况下,每个LED芯片均需要设置两个PAD进行电连接以实现每个LED芯片的单独驱动,这也就是说显示屏对应的PCB板上驱动源的设置也需要与芯片数量一一对应,无疑增加了制造的难度。此外,现有LED显示屏中LED芯片的亮度不够高,还存在很大的提亮空间。
发明内容
基于此,本发明的目的是提供一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法及LED显示屏,以从根本上解决现有LED芯片切割分选封装效率低及LED亮度不够的问题。
根据本发明实施例的一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法,所述方法包括:
分别在不同的衬底上进行外延层生长得到不同波段的各个外延片,其中外延片包括红光外延片、绿光外延片及蓝光外延片;
在各个外延片表面的第二半导体层上形成透明导电层,并在透明导电层上进行刻蚀形成露出第一半导体层的mesa台阶及用于切割的切割道;
在各个外延片的透明导电层及所露出的第一半导体层上分别形成不同极性的电极层,并在外延片上形成绝缘反射层且露出其中一极性的电极层;
在各个外延片上形成联通所露出的至少两个电极层的高反射金属层,以使将所联通的至少两个LED芯片最终组合形成LED芯片组;
在各个外延片上形成钝化层,且露出另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层;
在所露出的另一极性的电极层及其中一LED芯片中的高反射金属层上分别形成金属键合层;
对LED芯片组的衬底进行研磨减薄及沿LED芯片组中外围的LED芯片处的切割道进行切割;
对各个波段的LED芯片组依次进行测试、分选、及封装操作,以形成LED显示屏。
另外,根据本发明上述实施例的一种用于小间距高亮度的LED显示屏制作方法,还可以具有如下附加的技术特征:
进一步地,所述在透明导电层上进行刻蚀形成露出第一半导体层的mesa台阶及用于切割的切割道的步骤包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的