[发明专利]一种芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210672024.6 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN114933308A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡强;李亚格;马从洋;俞天佳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京鑫瑞森知识产权代理有限公司 11961 | 代理人： | 王立普 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芋头 中空 二氧化硅 椭球 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料，其特征在于，所述材料呈芋头状表面纹路的椭球空腔结构，且长轴尺寸为190～250nm，短轴尺寸为95～105nm；表面具有无序壁间孔，所述孔径为4.70～8.67nm；比表面积为510～895m2/g，孔体积为0.960～1.784cm3/g。
2.根据权利要求1所述的芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将NH4OH与蒸馏水混合均匀，然后在搅拌加热条件下加入CTAB混合均匀，得到混合溶液，恒温放置；
(2)将TMB缓慢滴加至步骤(1)的混合溶液中，搅拌10～15分钟后缓慢滴入TEOS，形成白色浆液，保温搅拌2h；
(3)反应结束后过滤，用蒸馏水和乙醇将产物洗涤3～5次，然后转移至电烘箱中充分干燥；
(4)干燥完成后，将产物置于马弗炉中恒温煅烧，研磨后得到所述芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料。
3.根据权利要求2所述的芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述加热和恒温的温度为75～85℃。
4.根据权利要求2所述的芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述电烘箱的温度为60℃，烘干时间为12～13h。
5.根据权利要求1所述的芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述恒温煅烧的温度为530～560℃，时间为3.5～4.5小时。
6.根据权利要求2所述的芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料的制备方法，其特征在于，所述CTAB、TEOS、TMB、NH4OH、H2O的摩尔比为(0.005-0.006):(0.04-0.05):(0.04-0.05):(0.34-2):(1.8-11.5)。
7.根据权利要求6所述的芋头状中空介孔二氧化硅椭球材料的制备方法，其特征在于，所述CTAB、TEOS、TMB、NH4OH、H2O的摩尔比为(0.005-0.006):(0.04-0.05):(0.04-0.05):(0.68-2):(3.75-11.5)。
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