[发明专利]声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置

权利要求书

1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：

压电基底；

位于所述压电基底上的电极结构，所述电极结构包括第一电极层、以及位于所述第一电极层上的第二电极层，所述第一电极层的材料与所述第二电极层的材料不同，所述第一电极层的材料密度范围为11000千克每立方米～20000千克每立方米，所述第二电极层的电阻率小于所述第一电极层的电阻率；

位于所述压电基底上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极结构。

2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述压电基底的材料包括：127°～129°Y切铌酸锂。

3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层的材料包括：钽；所述第二电极层的材料包括：铝、铝铜合金或铝镁铜合金。

4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，还包括：位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的黏附层；所述黏附层的材料包括：钛、氮化钛、钛钨合金、氮化钽或镍铬合金。

5.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。

6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间具有第一中心间距尺寸，所述第一电极层具有第一厚度尺寸，所述第一厚度尺寸为所述第一中心间距尺寸的1％～2％。

7.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述温度补偿层的材料包括：二氧化硅、氟氧化硅或碳氧化硅。

8.一种声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供压电基底；

在所述压电基底上形成电极结构，所述电极结构包括第一电极层、以及位于所述第一电极层上的第二电极层，所述第一电极层的材料与所述第二电极层的材料不同，所述第一电极层的材料密度范围为11000千克每立方米～20000千克每立方米，所述第二电极层的电阻率小于所述第一电极层的电阻率；

在所述压电基底上形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极结构。

9.如权利要求8所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述压电基底的材料包括：127°～129°Y切铌酸锂。

10.如权利要求8所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一电极层的材料包括：钽；所述第二电极层的材料包括：铝、铝铜合金或铝镁铜合金。

11.如权利要求8所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述电极结构的过程中，还包括：形成黏附层，所述黏附层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间；所述黏附层的材料包括：钛、氮化钛、钛钨合金、氮化钽或镍铬合金。

12.如权利要求8所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。

13.如权利要求12所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间具有第一中心间距尺寸，所述第一电极层具有第一厚度尺寸，所述第一厚度尺寸为所述第一中心间距尺寸的1％～2％。

14.如权利要求8所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述温度补偿层的材料包括：二氧化硅、氟氧化硅或碳氧化硅。