[发明专利]声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置

说明书

一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置，其中声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底上的电极结构，电极结构包括第一电极层、以及位于第一电极层上的第二电极层，第一电极层的材料密度范围为11000～20000千克每立方米。通过将第一电极层选用材料密度大于钼的材料密度的材料，在减小第一电极层的厚度同时获取更大的质量，以增加声表面波谐振装置的机电耦合系数同时降低波速，进而使得器件结构的尺寸减小，提升芯片的集成度。而且第一电极层的厚度减小也会使得应力减小，进而减少压电基底出现翘曲或损坏的问题。另外，所述第一电极层的厚度减小，可以相应增加所述第二电极层的厚度，以达到减小电学损耗的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(IntegratedPassiveDevices，IPD)滤波器等。

SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。

然而，现有技术中形成的声表面波谐振器仍存在诸多问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置，以提升声表面波谐振装置的性能。

为解决上述问题，本发明技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底；位于所述压电基底上的电极结构，所述电极结构包括第一电极层、以及位于所述第一电极层上的第二电极层，所述第一电极层的材料与所述第二电极层的材料不同，所述第一电极层的材料密度范围为11000千克每立方米～20000千克每立方米，所述第二电极层的电阻率小于所述第一电极层的电阻率；位于所述压电基底上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极结构。

可选的，所述压电基底的材料包括：127°～129°Y切铌酸锂。

可选的，所述第一电极层的材料包括：钽；所述第二电极层的材料包括：铝、铝铜合金或铝镁铜合金。

可选的，还包括：位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的黏附层；所述黏附层的材料包括：钛、氮化钛、钛钨合金、氮化钽或镍铬合金。

可选的，所述电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。

可选的，相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间具有第一中心间距尺寸，所述第一电极层具有第一厚度尺寸，所述第一厚度尺寸为所述第一中心间距尺寸的1％～2％。

可选的，所述温度补偿层的材料包括：二氧化硅、氟氧化硅或碳氧化硅。