[发明专利]MLCC陶瓷介质材料及其制备方法、高温稳定型的MLCC陶瓷及其制备方法、应用

说明书

本发明提供了一种MLCC陶瓷介质材料及其制备方法、高温稳定型的MLCC陶瓷及其制备方法、应用，涉及陶瓷材料制造的技术领域，本发明的MLCC陶瓷介质材料包括主成分BaTiOsubgt;3/subgt;和掺杂剂，其中，掺杂剂包括Alsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Bisubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Yisubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;以及CuO的混合物；Alsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;占BaTiOsubgt;3/subgt;的摩尔百分比为1～9mol％。本发明解决了现有的MLCC陶瓷制备工艺冗长和操作复杂，以及MLCC陶瓷性能较差的技术问题，达到了MLCC陶瓷制备工艺简单、烧结温度低、节约成本、MLCC陶瓷在高温下电性能稳定性较佳以及容温变化率能够满足X8R要求的技术效果。

技术领域

本发明涉及陶瓷材料制造的技术领域，尤其是涉及一种高温稳定型MLCC陶瓷及其制备方法、应用。

背景技术

MLCC陶瓷作为一种重要的电子信息材料，在一定程度上影响着下游及终端产业的发展，然而现有的常规技术及其所制备得到的MLCC陶瓷，不仅存在着制备工艺冗长和操作复杂等的问题，而且所得到的MLCC陶瓷的性能较为一般，达不到预期的理想性能，导致其在实际应用和使用时存在着诸多的不便与缺陷，限制了其下游产品及终端产业的进一步发展，因此有必要对目前现有的MLCC陶瓷及其制备方法进行改进，提高其综合性能，使其能够更好地应用于实际的生产。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种MLCC陶瓷介质材料，在烧结为陶瓷后能够满足X8R特性，同时在高温下电性能稳定性较佳。

本发明的目的之二在于提供一种MLCC陶瓷介质材料的制备方法，工艺简单且高效。

本发明的目的之三在于提供一种高温稳定型的MLCC陶瓷，介电常数为2000～3100，容温变化率满足X8R要求，在高温下的电性能稳定性较佳。

本发明的目的之四在于提供一种高温稳定型的MLCC陶瓷的制备方法，制备工艺简短，操作简单。

本发明的目的之四在于提供一种高温稳定型的MLCC陶瓷的应用，具有突出的应用效果。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

第一方面，一种MLCC陶瓷介质材料，包括主成分和掺杂剂；

所述主成分为BaTiO₃；

所述掺杂剂包括Al₂O₃、Bi₂O₃、Yi₂O₃以及CuO的混合物；

所述Al₂O₃占所述BaTiO₃的摩尔百分比为1～9mol％。

进一步的，所述掺杂剂占所述BaTiO₃的摩尔百分比分别为：

Al₂O₃ 1～9mol％，Bi₂O₃ 0.2～2mol％，Yi₂O₃ 0.2～2mol％，CuO 1～6mol％。

第二方面，一种MLCC陶瓷介质材料的制备方法，包括以下步骤：

将主成分和掺杂剂按比例混合后研磨，造粒，得到所述MLCC陶瓷介质材料。

进一步的，所述主成分的制备方法包括水热法；

优选地，所述水热法包括以下步骤：