[发明专利]一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法

权利要求书

1.一种半导体工艺炉装卸载腔室的控氧控压方法，其特征在于，应用于控氧控压设备；所述控氧控压设备包括：用于检测所述装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值的检测装置、设于所述装卸载腔室的进气管上用于控制所述进气管的进气流量的气体流量调节器，以及设于所述装卸载腔室的排风管上用于控制所述排风管的排风量的阀门；所述控氧控压方法包括：

在对所述装卸载腔室开始控氧时，控制所述阀门以预设第一角度开启，并控制所述气体流量调节器以预设第一气体流量向所述装卸载腔室内输送控氧气体；

获取所述检测装置检测到的所述装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值；

在所述氧含量达到预设目标氧含量后，以所述氧含量达到所述预设目标氧含量，且所述压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节所述气体流量调节器输送的气体流量和所述阀门的开启角度，以满足所述调节目标。

2.如权利要求1所述的控氧控压方法，其特征在于，所述排风管包括：主排风管和副排风管；所述阀门包括：设于所述主排风管上用于控制所述主排风管的开闭的主阀门，以及设于所述副排风管上用于控制所述副排风管的排风量的副阀门；

则所述在对所述装卸载腔室开始控氧时，控制所述阀门以预设第一角度开启，包括：

在对所述装卸载腔室开始控氧时，基于预设的氧含量设定值与阀门预设角度的对应关系，确定与所述预设目标氧含量对应的目标阀门预设角度，并控制所述主阀门打开所述主排风管，控制所述副阀门以所述目标阀门预设角度开启；

且所述在所述氧含量达到预设目标氧含量后，以所述氧含量达到所述预设目标氧含量，且所述压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节所述气体流量调节器输送的气体流量和所述阀门的开启角度，以满足所述调节目标，包括：

在所述氧含量达到预设目标氧含量后，控制所述主阀门关闭所述主排风管，并以所述氧含量达到所述预设目标氧含量，且所述压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节所述气体流量调节器输送的气体流量和所述副阀门的开启角度，以满足所述调节目标。

3.如权利要求2所述的控氧控压方法，其特征在于，所述以所述氧含量达到所述预设目标氧含量，且所述压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节所述气体流量调节器输送的气体流量和所述副阀门的开启角度，以满足所述调节目标，包括：

基于预设的氧含量设定值与气体流量的对应关系，确定与所述预设目标氧含量对应的目标气体流量，并将所述气体流量调节器输送的气体流量调节至所述目标气体流量；

在所述气体流量调节器输送的气体流量调节至所述目标气体流量后，基于预设阀门控制策略控制所述副阀门的开启角度，以将所述氧含量控制在所述预设目标氧含量，且将所述压力值控制在预设正压安全范围内。

4.如权利要求3所述的控氧控压方法，其特征在于，所述将所述气体流量调节器输送的气体流量调节至所述目标气体流量，包括：

将所述气体流量调节器输送的气体流量从所述第一气体流量直接调节至预设第二气体流量；其中，所述第一气体流量＞所述第二气体流量＞所述目标气体流量；

每隔预设流量调节周期，均判断所述气体流量调节器当前输送的气体流量是否大于所述目标气体流量；

若是，则基于Y_last＝Y_now－t₁*R₁计算所述气体流量调节器对应的待调节流量Y_last，并将所述气体流量调节器当前输送的气体流量调节至所述待调节流量；其中，Y_now为所述气体流量调节器当前输送的气体流量；t₁为所述流量调节周期；R₁为预设流量调节步进速率；

若否，则将所述气体流量调节器当前输送的气体流量维持在所述目标气体流量。