[发明专利]一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法

说明书

本申请公开了一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法，在对装卸载腔室开始控氧时，控制阀门以预设第一角度开启，并控制气体流量调节器以预设第一气体流量向装卸载腔室内输送控氧气体；获取检测装置检测到的装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值；在氧含量达到预设目标氧含量后，以氧含量达到目标氧含量，且压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节气体流量调节器输送的气体流量和阀门的开启角度，以满足调节目标。可见，本申请可控制装卸载腔室内的氧含量，以使氧含量达到工艺要求；同时，可控制装卸载腔室内的压力值，以使装卸载腔室保持微正压，微正压可以有效阻止外界空气进入装卸载腔室，从而保证氧含量控制效果，提升加工质量。

技术领域

本申请涉及立式炉加工领域，尤其涉及一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法。

背景技术

立式炉系列设备包括工艺腔室和装卸载腔室(LA)，如图1所示，装卸载腔室在工艺腔室的下方，装卸载腔室用于进行硅片的装载和卸载，工艺腔室用于进行硅片的工艺加工。具体而言，在准备进行硅片加工时，将待加工的硅片放入装卸载腔室内用于放置硅片的舟(Boat)中，舟固定于用于升降舟的升降载体上。待硅片放置完成后，通过升降载体将舟上升至工艺腔室中，并密封住工艺腔室和装卸载腔室之间的传输口，然后在工艺腔室内进行硅片的工艺加工。在硅片加工完成后，通过升降载体将舟下降至装卸载腔室中，然后从舟上卸载下来加工完成的硅片，至此完成这些硅片的整个加工流程。

但是，在硅片的工艺加工过程中，温度一般都很高，导致硅片在加工完成后下降至装卸载腔室时，硅片的表面温度仍很高，此时如果装卸载腔室内氧含量较高，装卸载腔室内的氧分子会与硅片产生化学反应，导致硅片上产生非必要氧化层，从而降低硅片的加工质量。

发明内容

本申请的目的是提供一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法，可控制装卸载腔室内的氧含量，以使氧含量达到工艺要求；同时，可控制装卸载腔室内的压力值，以使装卸载腔室保持微正压，微正压可以有效阻止外界空气进入装卸载腔室，从而保证氧含量控制效果，提升加工质量。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种半导体工艺炉装卸载腔室的控氧控压方法，应用于控氧控压设备；所述控氧控压设备包括：用于检测所述装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值的检测装置、设于所述装卸载腔室的进气管上用于控制所述进气管的进气流量的气体流量调节器，以及设于所述装卸载腔室的排风管上用于控制所述排风管的排风量的阀门；所述控氧控压方法包括：

在对所述装卸载腔室开始控氧时，控制所述阀门以预设第一角度开启，并控制所述气体流量调节器以预设第一气体流量向所述装卸载腔室内输送控氧气体；

获取所述检测装置检测到的所述装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值；

在所述氧含量达到预设目标氧含量后，以所述氧含量达到所述预设目标氧含量，且所述压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节所述气体流量调节器输送的气体流量和所述阀门的开启角度，以满足所述调节目标。

可选地，所述排风管包括：主排风管和副排风管；所述阀门包括：设于所述主排风管上、用于控制所述主排风管的开闭的主阀门，以及设于所述副排风管上、用于控制所述副排风管的排风量的副阀门；

则所述在对所述装卸载腔室开始控氧时，控制所述阀门以预设第一角度开启，包括：

在对所述装卸载腔室开始控氧时，基于预设的氧含量设定值与阀门预设角度的对应关系，确定与所述预设目标氧含量对应的目标阀门预设角度，并控制所述主阀门打开所述主排风管，控制所述副阀门以所述目标阀门预设角度开启；

且所述在所述氧含量达到预设目标氧含量后，以所述氧含量达到所述预设目标氧含量，且所述压力值在预设正压安全范围内为调节目标，调节所述气体流量调节器输送的气体流量和所述阀门的开启角度，以满足所述调节目标，包括：