[发明专利]一种碳基材料表面单相SiC保护涂层的制备方法

权利要求书

1.一种碳基材料表面单相SiC保护涂层的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

S1：根据比例称量将单相的SiC粉末、Si粉末、石墨粉末混合，SiC粉末颗粒度0.5μm，纯度99.8%，Si粉颗粒度0.5μm，纯度99.9%，石墨粉D50600nm，纯度99.8%，加入分散剂KD-1和增塑粘结剂PVA，增塑粘结剂PVA分子量67000，最后加入溶剂无水乙醇,进行球磨处理24-48小时；

S2：对获得的浆料在真空状态下通过磁力搅拌器进行除泡处理1小时；

S3：将处理后的浆料均匀涂覆于碳基材料试件表面之上，涂覆厚度50-100μm；

S4：将涂覆后的试件放置于干燥箱中干燥处理，干燥温度为100°C，时间不少于12小时；

S5：将所获得的试件在1600-1800°C、Ar气氛下高温煅烧2小时，试件表面即获得10-20μm厚度的致密的单相SiC涂层。

2.如权利要求1所述的一种碳基材料表面单相SiC保护涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，添加的Si粉末量是SiC量的2.5mol-10mol%、石墨粉末量是SiC量的2.5-10mol%，无水乙醇质量是Si粉末量、SiC粉末和石墨粉末三种粉末总质量的30-60%，KD-1质量是Si粉末量、SiC粉末和石墨粉末三种粉末总质量的1-10%，PVA质量是Si粉末量、SiC粉末和石墨粉末三种粉末总质量的1-10%。