[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法在审
申请号: | 202210688205.8 | 申请日: | 2022-06-17 |
公开(公告)号: | CN115182053A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 黄四江;王美春;沙智勇;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 | 申请(专利权)人: | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/36;C30B33/06 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 677000 云南省临沧市*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 籽晶 粘接后 碳化 方法 | ||
1.一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)把高纯石墨板放在井式炉炉底,然后再把石英筒放置在石墨板上;所述井式炉只设置底部电阻丝加热程序,所述石英筒包括侧面有开孔的筒身和筒盖,无底部 ;
(2)把粘接好籽晶的石墨台放置到石英筒内,在石墨台上的籽晶上放置一张圆形石墨纸作为缓冲层,再往上面放置压铁,放置压铁总重在100-150kg;全部放好并固定后,盖上石英筒的盖子,把井式炉盖上,关闭进气孔阀门;
(3)先启动井式炉真空泵,进行10-30min的抽气,直到测试炉内的压力表数值在-0.1处维持并不发生偏转;
(4)打开进气孔阀门,以0.1-0.3MPa的流量通入氩气,边通气边以30%的漏率抽真空持续5-20min,炉内气压维持在负压状态,然后开始加热;
(5)一直维持以0.1-0.3MPa的流量通氩气,以30%的漏率抽真空,只开启井式炉底部的加热电阻丝进行加热,加热程序设定为3-6h加热到碳化温度400-600℃,在碳化温度保温0.5-2h后结束加热,并让其自动降温到室温;
(6)温度降到室温后,关闭真空泵停止抽气,继续通入氩气使炉内压力达到室内大气压后再关闭氩气进气阀门,打开井式炉取出碳化好的籽晶。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,所述压铁为数块,单块压铁为10kg,相邻两块压铁的中部分别设置相互嵌接的凸凹台,并外设不锈钢固定架进行固定,具体放置压铁的操作步骤为:一块底面平整,上面有个凹台的压铁后利用不锈钢固定架固定好,放置于石墨纸上,再继续往上面放下面有凸台,上面有凹台的压铁,反复操作后,达到需要的压铁重量。
3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,所述不锈钢固定架整体为圆柱形,包括两个抱箍,两个抱箍外设置四根固定柱搭建而成,所述抱箍上设置多个螺纹孔,并配置多根螺栓辅助固定压铁。
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,所述步骤(2)中放置压铁总重为120kg。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,所述步骤(4)、(5)中氩气的通入流量为0.15MPa。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,所述步骤(5)中,加热程序设定为4 h,加热到碳化温度500℃,在碳化温度保温1h后结束加热,并让其自动降温到室温。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶粘接后的碳化方法,其特征在于,所述步骤(1)中的石墨板为高纯石墨板,厚10mm,且平整度在±10um内。
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