[发明专利]互连结构及其制备方法

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

一第一介电层；

一第一导电通孔，设置在该第一介电层中；以及

一第一金属线，设置在该第一介电层上并与该第一导电通孔电连接；

其中该第一金属线的至少一部分暴露于一第一气隙中。

2.如权利要求1所述的互连结构，其中该第一介电层的部分顶面暴露于该第一气隙中。

3.如权利要求1所述的互连结构，其中该第一金属线包括暴露于该第一气隙的一第一侧向表面和与该第一介电层接触的一第二侧向表面。

4.如权利要求1所述的互连结构，还包括：

设置在该第一介电层上并与该第一金属线物理间隔开的一第二金属线，其中该第二金属线的至少一部分暴露于该第一气隙中。

5.如权利要求1所述的互连结构，还包括：

设置在该第一金属线上的一第二介电层，并在该第一气隙上方定义一第二气隙。

6.如权利要求5所述的互连结构，其中该第二气隙的宽度小于该第一气隙的宽度。

7.如权利要求5所述的互连结构，还包括：

穿透该第二介电层并与该第一金属线电连接的一第二导电通孔。

8.如权利要求7所述的互连结构，还包括：

设置在该第二介电层上并覆盖该第二气隙的一第三介电层。

9.如权利要求8所述的互连结构，还包括：

设置在该第三介电层上并与该第二导电通孔电连接的一第三金属线，其中该第三金属线的至少一部分暴露于一第三气隙中。

10.如权利要求9所述的互连结构，其中该第三气隙通过该第三介电层与该第二气隙物理隔离。

11.一种互连结构，包括：

一第一介电层；

一第二介电层，设置在该第一介电层上方；

一第一导电结构，设置在该第一介电层和该第二介电层之间；以及

一第二导电结构，设置在该第一介电层和该第二介电层之间，其中该第二导电结构通过一第一气隙与该第一导电结构隔离。

12.如权利要求11所述的互连结构，其中该第一导电结构包括暴露于该第一气隙的一第一侧向表面和与该第一介电层接触的一第二侧向表面。

13.如权利要求11所述的互连结构，其中该第二介电层在该第一气隙上方定义一第二气隙，并且该第二气隙的宽度小于该第一气隙的宽度。

14.如权利要求13所述的互连结构，还包括：

一第三介电层，设置在该第二介电层上并覆盖该第二气隙；以及

一第三导电结构，设置在该第三介电层上并与该第一导电结构电连接，其中该第三导电结构暴露于第三气隙中，并且该第三气隙通过该第三介电层与该第二气隙物理隔离。

15.一种互连结构的制备方法，包括：

在一第一介电层上设置一牺牲层，其中该牺牲层具有不同于该第一介电层的蚀刻特性；

在该第一介电层和该牺牲层中形成一沟槽；

在该沟槽中形成一第一金属线；以及

从该第一介电层上移除该牺牲层。

16.如权利要求15所述的制备方法，还包括：

在该第一介电层上形成一第二金属线，其中该第一金属线和该第二金属线之间的该第一介电层的部分顶面在该牺牲层被移除后暴露于空气中。

17.如权利要求15所述的制备方法，还包括：

在该牺牲层上设置一第二介电层，其中该第二介电层具有不同于该牺牲层的蚀刻特性。