[发明专利]一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备在审
申请号: | 202210702713.7 | 申请日: | 2022-06-21 |
公开(公告)号: | CN115188684A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 陈世隐;肖国兵;周福海;余俊华;关文武;赵思;唐先俊;詹喜录;尹建刚;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族微加工软件技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/78;B28D5/04;B28D7/00;G01N21/88 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 断裂 方法 切割 装置 以及 设备 | ||
1.一种检测晶圆断裂的方法,其特征在于,包括:
获取切割轨迹;
选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准;
获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X;
获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln;
判断晶圆是否断裂;
若Ln大于或等于X,则断裂;以及
若Ln小于X,则未断裂。
2.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,若Ln小于X,所述检测晶圆断裂的方法还包括:
增加切割进给量,沿对应切割轨迹再次切割晶圆;以及
获取晶圆沿对应切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln+1;
其中,通过将Ln+1与X进行对比以继续判断晶圆是否断裂,n为大于0的整数。
3.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,若Ln大于或等于X,所述检测晶圆断裂的方法还包括:
获取晶圆沿下一切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln;
其中,通过将Ln与X进行对比以判断晶圆对应切割处是否断裂。
4.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,所述“获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括:
采用手动切割方式沿切割轨迹切断晶圆。
5.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,所述“获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括:
采用自动切割方式沿切割轨迹切割晶圆。
6.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,所述检测晶圆断裂的方法还包括:
在晶圆上设置特征区;
所述“选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准”包括:
选取晶圆上位于切割轨迹两侧的特征区作为对比基准。
7.如权利要求6所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,所述“获取切割轨迹”包括:
获取沿第一方向平行且等间距设置于晶圆上的多条第一切割线以及沿第二方向平行且等间距设置于晶圆上的多条第二切割线;
其中,所述第一方向和所述第二方向之间具有夹角,所述多条第一切割线与所述多条第二切割线配合将晶圆划分出多个呈阵列排布的晶元,每个所述晶元上分别设置相同的特征区,多个所述晶元上的特征区呈阵列排布。
8.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,所述检测晶圆断裂的方法还包括:
根据对比基准建立对应匹配的模板;
所述“获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括:
根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X;
所述“获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括:
根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln。
9.如权利要求8所述的检测晶圆断裂的方法,其特征在于,所述“根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括:
获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的图像;以及
根据模板与图像对比,获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X;
所述“根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括:
获取晶圆沿切割轨迹被切割后的图像;以及
根据模板与图像对比,获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造