[发明专利]一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备

说明书

本申请实施例公开了一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备，所述检测晶圆断裂的方法包括获取切割轨迹；选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准；获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；判断晶圆是否断裂；若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂。本申请实施例采用先沿切割轨迹切割获取晶圆被切断临界时的对比基准间的距离X，将X作为沿切割轨迹切断晶圆的标准，然后获取沿切割轨迹切割晶圆后的对比基准间的距离Ln，然后将Ln与X进行对比来判断对应切割后的晶圆是否断裂，若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂。

技术领域

本申请涉及检测技术领域，尤其涉及一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备。

背景技术

在半导体组件的制造过程中，通过在晶圆上形成图形化和电极制作，然后进行激光划片，再通过机械劈刀劈裂的方式，以从整块晶圆上分出晶元。

在晶圆劈裂过程中，为了判断晶元是否完全断开从晶圆中分离，现有技术公开了一种晶圆裂开的光学检知方法，其利用劈裂前后，切割线宽度尺寸差异来判断晶圆是否裂开，然而，该劈裂过程中，大部分晶圆表面附有一层膜，再者晶圆表面光学特性不一，导致部分晶圆上切割线成像效果很差，提取切割线的宽度比较困难，导致误判率较高；

现有技术还公开了一种晶圆未断灰阶检测方法，其中晶圆劈裂时灰阶变换到达临界值则判断晶圆被劈裂开，这种检测方式对光学环境要求较高，若有其他光照射干扰，效果不佳，而且不同类型晶圆灰阶临界值设置麻烦，并且不同膜对光的特性不一，所以就会导致结果不稳定。

因此，急需一种可以准确判断晶圆劈断的检测方法。

发明内容

本申请实施例是一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备，以精准检测晶圆是否断裂。

本申请实施例公开了一种检测晶圆断裂的方法，包括：

获取切割轨迹；

选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准；

获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；

获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；

判断晶圆是否断裂；

若Ln大于或等于X，则断裂；以及

若Ln小于X，则未断裂。

可选的，若Ln小于X，所述检测晶圆断裂的方法还包括：

增加切割进给量，沿对应切割轨迹再次切割晶圆；以及

获取晶圆沿对应切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln+1；

其中，通过将Ln+1与X进行对比以继续判断晶圆是否断裂，n为大于0的整数。

可选的，若Ln大于或等于X，所述检测晶圆断裂的方法还包括：

获取晶圆沿下一切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；

其中，通过将Ln与X进行对比以判断晶圆对应切割处是否断裂。

可选的，所述“获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括：

采用手动切割方式沿切割轨迹切断晶圆。

可选的，所述“获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括：

采用自动切割方式沿切割轨迹切割晶圆。

可选的，所述检测晶圆断裂的方法还包括：

在晶圆上设置特征区；