[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210702924.0 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115565872A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 宫内国男 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
利用由Cl类气体构成的第一处理气体形成的等离子体，对氧化物半导体的上层的导电体层进行蚀刻的步骤；和
利用由Ar气体构成的第二处理气体形成的等离子体，除去在所述氧化物半导体的沟道区域中形成的损伤层的步骤。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
所述损伤层是在所述氧化物半导体中形成的氧缺陷层。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
所述氧化物半导体是铟镓锌氧化物半导体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在对所述损伤层进行蚀刻的步骤中，生成源电功率与偏置电功率的比率为2：1以上且1：1以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
