[发明专利]半导体器件的制造方法在审

申请号：	202210702924.0	申请日：	2022-06-21
公开（公告）号：	CN115565872A	公开（公告）日：	2023-01-03
发明（设计）人：	宫内国男	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/3213	分类号：	H01L21/3213;H01L29/417;H01L29/786
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法
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【说明书】：

本发明的目的在于提供一种提高半导体器件的特性的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：利用由Cl类气体构成的第一处理气体形成的等离子体，对氧化物半导体的上层的导电体层进行蚀刻的步骤；和利用由Ar气体构成的第二处理气体形成的等离子体，除去在上述氧化物半导体的沟道区域中形成的损伤层的步骤。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种半导体装置，其具有：栅极电极；与栅极电极重叠的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜与栅极电极重叠的氧化物层叠膜；接触在氧化物层叠膜上的源极电极及漏极电极；和接触在源极电极上及漏极电极上接触的氧化物绝缘膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-78339号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在如专利文献1中给出的BCE(Back Channel Etching，背沟道蚀刻)型的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)中，在氧化物半导体(氧化物层叠膜)上形成导电体层之后，通过等离子体处理对导电体层进行蚀刻而形成源极电极和漏极电极。由于该等离子体处理，在氧化物半导体的沟道区域造成损伤，TFT的特性恶化。

针对上述技术问题，在一个方面中，其目的在于提供一种提高半导体器件的特性的半导体器件的制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种半导体器件的制造方法，其包括：利用由Cl类气体构成的第一处理气体形成的等离子体，对氧化物半导体的上层的导电体层进行蚀刻的步骤；和利用由Ar气体构成的第二处理气体形成的等离子体，除去在上述氧化物半导体的沟道区域中形成的损伤层的步骤。

发明效果

依照一个方面，能够提供一种提高半导体器件的特性的半导体器件的制造方法。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖面示意图。

图2是表示制造半导体器件的基片处理的一个例子的流程图。

图3是被处理基片的剖面示意图的一个例子。

图4是暴露于由第一处理气体形成的等离子体的氧化物半导体的XPS分析的一个例子。

图5是表示氧化物半导体的表面的O_I与O_II的峰值比的结果的一个例子的图表。

图6是表示氧化物半导体的表面的O_I与O_II的峰值比的结果的一个例子的图表。