[发明专利]一种物理气相沉积用双面镀膜载板

说明书

本发明公开了一种物理气相沉积用双面镀膜载板，属于真空镀膜技术领域。它包括在载板上镂空形成的多个基板放置区，所述基板放置区上下两面均设有开口；至少两个所述基板放置区之间设有穿过载板的通孔；所述通孔的端部相邻于基板放置区一侧设有阻挡件，所述阻挡件由载板表面向外延伸设置，用于阻挡镀膜时溅射出的电子和/或离子和/或原子和/或等离子体。本发明能解决电子在载板上的积累以及绕镀现象的问题，能够进一步提高基板表面镀膜的质量。

技术领域

本发明属于真空镀膜技术领域，更具体地说，涉及一种物理气相沉积用双面镀膜载板。

背景技术

异质结电池是光伏领域的新热点，具有高开路电压，高转换效率，低的温度系数等诸多优点。高效异质结太阳能电池的主要工艺步骤如下：制绒清洗，CVD沉积非晶硅、PVD沉积透明导电膜、印刷或电镀形成金属电极。由于HIT电池是对称结构，PVD沉积了正反双面的透明导电膜。为了避免绕镀现象的存在，载板放置硅片后无镂空，以便进一步提高电池效率。

目前，现有技术中用于PVD沉积设备的载板常规设置成平面板，平面板内设有若干个用于承载基板的镂空凹槽，镂空凹槽上设有承载基板的边框。使用载板在基片正反面沉积透明导电薄膜层时，基片反面边缘由镂空凹槽的边框遮掩，使透明导电薄膜层在硅片边缘自然形成隔离，使生产更加自动化，不需要盖板，提高了生产效率。但是，这种仅在基片放置区设有镂空凹槽、而其余区域密封的载板在放置基片后完全密封，此时由于载板处于负电位，溅射粒子极易在载板表面沉积，进而导致载板发生放电现象，使镀膜质量变差。

因此，目前急需设计一种能够有效解决上述问题的镀膜载板，以提升镀膜质量。

发明内容

1.要解决的问题

针对现有技术中镀膜用载板无法解决电荷积累的问题，本发明提供一种物理气相沉积用双面镀膜载板；通过在特定位置设计特定结构的通孔与阻挡件，从而有效解决现有载板的电荷积累的技术问题。

2.技术方案

为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：

本发明的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其包括在载板上镂空形成的多个基板放置区，所述基板放置区上下两面均设有开口；至少两个所述基板放置区之间设有穿过载板的通孔。

优选地，所述通孔的端部相邻于基板放置区一侧设有阻挡件，所述阻挡件由载板表面向外延伸设置，用于阻挡镀膜时溅射出的电子和/或离子和/或原子和/或等离子体。

优选地，所述阻挡件靠近基板放置区的一侧设有阻挡面，所述阻挡面由载板表面向通孔一侧延伸。

优选地，所述阻挡面为向外凸起的弧面，该弧面的曲率为50m^-1～66.6m^-1，所述阻挡件的宽度为10-30mm，所述阻挡件的高度为10-30mm。其目的是避免因镂空导致的严重绕镀现象，可能是由于弧面的设计能够适应于溅射粒子的轨迹，将大部分的溅射粒子阻挡于阻挡面上，能够大幅降低基片另一面绕镀形成的薄膜厚度，提高镀膜整体均匀性。具体的，可在通孔两端加类圆柱形横梁，保证阻挡件靠近基板放置区一侧为弧面设计。该弧面高度过高会导致镀膜不均匀，靠近弧面侧硅片厚度较薄；高度过低会导致绕镀现象加重，因此弧面高度和宽度优选设置为10-30mm，更优选为15mm～20mm。

优选地，所述基板放置区的开口边缘向阻挡件延伸设置有过渡结构。本发明过渡结构起到为阻挡面缓冲的作用，避免因阻挡面的设置导致硅片表面、尤其是硅片边缘的溅射粒子复发有效镀覆，进而导致镀膜不均匀的问题。

优选地，所述过渡结构为一平面结构，具体可为第一平面，所述过渡结构的宽度为5-15mm。

优选地，所述通孔两侧为第二平面，所述第二平面向通孔端部延伸并与所述阻挡面相交。