[发明专利]非易失性存储器装置、存储器系统以及读取方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：

第一储存器，在所述第一储存器中存储有用于读取重试操作的基础偏移电平；

第二储存器，在所述第二储存器中存储有用于所述读取重试操作的附加偏移电平；以及

电压发生器，所述电压发生器适于在所述读取重试操作执行时通过使用所述基础偏移电平并进一步通过根据读取操作选择性地使用所述附加偏移电平来调整读取电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述读取操作是正常读取操作或高速缓存读取操作。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述电压发生器在所述读取操作是正常读取操作时使用所述基础偏移电平，并且在所述读取操作是高速缓存读取操作时使用所述基础偏移电平和所述附加偏移电平。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括存储器单元；以及

解码器，所述解码器适于将所述读取电压施加到所述存储器单元阵列。

5.一种存储器系统，所述存储器系统包括：

控制装置，所述控制装置适于：

产生命令信号和地址信号以控制读取操作，

基于读取数据确定所述读取操作是否已失败，并且

生成读取失败标志信号作为进行确定的结果；以及

非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置适于：

基于所述命令信号和所述地址信号，使用具有默认电平的读取电压来执行所述读取操作，

根据所述读取操作生成所述读取数据，并且

当基于所述读取失败标志信号重试所述读取操作时，通过根据所述读取操作使用不同的偏移电平来调整所述读取电压。

6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述读取操作是正常读取操作或高速缓存读取操作。

7.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述非易失性存储器装置在所述读取操作是正常读取操作时通过使用基础偏移电平来调整所述读取电压，并且在所述读取操作是高速缓存读取操作时通过使用所述基础偏移电平和附加偏移电平来调整所述读取电压。

8.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述非易失性存储器装置包括：

第一储存器，在所述第一储存器中存储有用于读取重试操作的基础偏移电平；

第二储存器，在所述第二储存器中存储有用于所述读取重试操作的附加偏移电平；以及

电压发生器，所述电压发生器适于在所述读取重试操作执行时通过使用所述基础偏移电平并进一步通过根据所述读取操作选择性地使用所述附加偏移电平来调整所述读取电压。

9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，所述读取操作是正常读取操作或高速缓存读取操作。

10.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，所述电压发生器在所述读取操作是正常读取操作时使用所述基础偏移电平，并且在所述读取操作是高速缓存读取操作时使用所述基础偏移电平和所述附加偏移电平。

11.根据权利要求8所述的存储器系统，所述非易失性存储器装置还包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括存储器单元；以及

解码器，所述解码器适于将所述读取电压施加到所述存储器单元阵列。

12.一种存储器系统的读取方法，所述读取方法包括以下步骤：

使用具有默认电平的读取电压执行读取操作；

确定所述读取操作是否已失败；

当所述读取操作已失败并且所述读取操作是高速缓存读取操作时，将基础偏移电平及附加偏移电平施加到所述读取电压；以及

使用所述读取电压重试所述读取操作。