[发明专利]非易失性存储器装置、存储器系统以及读取方法

说明书

本公开涉及非易失性存储器装置、存储器系统以及读取方法。公开了一种非易失性存储器装置、一种包括所述非易失性存储器装置的存储器系统及所述存储器系统的读取方法，其中所述非易失性存储器装置包括：第一储存器，其中存储有用于读取重试操作的基础偏移电平；第二储存器，其中存储有用于所述读取重试操作的附加偏移电平；及电压发生器，其适于在所述读取重试操作执行时通过使用所述基础偏移电平且进一步通过根据读取操作选择性地使用所述附加偏移电平来调整读取电压。

技术领域

本公开的各种实施例涉及半导体设计技术，且更特别地，涉及非易失性存储器装置、包括其的存储器系统及所述存储器系统的读取方法。

背景技术

半导体存储器装置可以分为诸如DRAM的易失性存储器装置和诸如闪存存储器的非易失性存储器装置。易失性存储器装置在断电时丢失存储在其中的数据，而非易失性存储器装置即使在断电时仍保持存储在其中的数据。特别地，闪存存储器具有诸如高编程速度、低功耗和大容量数据储存的优点，因此被广泛地用作计算机系统等中的储存介质。

闪存存储器包括存储数据的存储器单元阵列。所述存储器单元阵列包括多个存储块，存储块中的每一者包括多个页，且页中的每一个包括多个存储器单元。具有上述配置的闪存存储器以存储块为单位执行擦除操作且以页为单位执行写入操作或读取操作。

发明内容

本公开的各种实施例涉及一种支持正常读取操作和高速缓存读取操作的非易失性存储器装置，一种包含所述非易失性存储器装置的存储器系统及所述存储器系统的读取方法。

根据本公开的实施例，非易失性存储器装置可以包括：第一储存器，其中存储有用于读取重试操作的基础偏移电平；第二储存器，其中存储有用于读取重试操作的附加偏移电平；以及电压发生器，其适于在执行所述读取重试操作时通过使用所述基础偏移电平并进一步通过根据读取操作选择性地使用所述附加偏移电平来调整读取电压。

读取操作可以是正常读取操作或高速缓存读取操作。

当所述读取操作是正常读取操作时，所述电压发生器可使用所述基础偏移电平，且当所述读取操作是高速缓存读取操作时，所述电压发生器可使用所述基础偏移电平和所述附加偏移电平。

根据本公开的实施例，存储器系统可包括：控制装置，所述控制装置适于产生命令信号和地址信号以控制读取操作，基于读取数据确定所述读取操作是否已失败，并且产生读取失败标志信号作为进行确定的结果；以及非易失性存储器装置，其适于基于所述命令信号和所述地址信号使用具有默认电平的读取电压执行所述读取操作，根据所述读取操作产生所述读取数据，并且当基于所述读取失败标志信号重试所述读取操作时通过根据所述读取操作使用不同偏移电平来调整所述读取电压。

读取操作可以是正常读取操作或高速缓存读取操作。

当读取操作是正常读取操作时，非易失性存储器装置可通过使用基础偏移电平来调整读取电压，且当读取操作是高速缓存读取操作时，通过使用基础偏移电平和附加偏移电平来调整读取电压。

根据本公开的实施例，存储器系统的读取方法可以包括以下步骤：使用具有默认电平的读取电压执行读取操作；确定所述读取操作是否已失败；当所述读取操作已失败且为高速缓存读取操作时，将基础偏移电平及附加偏移电平施加到所述读取电压；以及使用所述读取电压重试所述读取操作。

所述读取方法还可包括以下步骤：在所述读取操作已失败且为正常读取操作时将所述基础偏移电平施加到所述读取电压。

重试读取操作的步骤可包括执行正常读取操作作为读取操作的重试。

读取方法还可以包括以下步骤：通过在固定附加偏移电平的同时调整基础偏移电平来重复施加的步骤和重试的步骤。