[发明专利]分批炉组件和操作分批炉组件的方法

权利要求书

1.一种用于处理晶片的分批炉组件(10)，包括：

处理室壳体(12)，其限定具有处理气体入口(16)和排气装置(18)的处理室(14)，其中处理室壳体(12)具有处理室开口(20)；

限定晶片舟室(24)的晶片舟壳体(22)，其中处理室开口(20)将处理室(14)与晶片舟室(24)连接，用于在晶片舟室(24)和处理室(14)之间传送晶片舟(80)；

具有关闭位置的门组件(26)，在关闭位置，门组件(26)关闭处理室开口(20)，其中门组件(26)在关闭位置限定门组件室(28)，该门组件室(28)具有用于向门组件室(28)供应吹扫气体的吹扫气体入口(30)，用于将处理室(14)与晶片舟室(24)气体密封地分开；

差压传感器组件(32)，其流体连接到门组件室(28)和参考压力室(18、24)，并配置成确定门组件室(28)中的压力和参考压力室(18，24)中的参考压力之间的压差；以及

控制器(34)，其配置成确定压差是否在期望压力范围内，以确认门组件(26)有效地关闭处理室开口(20)。

2.根据权利要求1所述的分批炉组件，其中，所述参考压力室(18、24)是所述晶片舟室(24)，所述参考压力是晶片舟室(24)中的压力。

3.根据权利要求1所述的分批炉组件，其中，所述参考压力室(18、24)是所述排气装置(18)，所述参考压力是排气装置(18)中的压力。

4.根据前述权利要求中任一项所述的分批炉组件，其中，所述处理室壳体(12)包括石英管(36)和支撑所述石英管(36)的金属凸缘(38)；

其中，所述门组件(26)包括：

包括第一密封件(42)的第一门板(40)，该第一密封件在所述关闭位置接合处理室壳体(12)的金属凸缘(38)，

包括第二密封件(46)的第二门板(44)，该第二密封件在所述关闭位置接合处理室壳体(12)的石英管(36)；

相对于第一门板(40)和第二门板(44)可旋转地安装的第三门板(48)；

在第二门板(44)和可旋转第三门板(48)之间的扩散阻挡件(50)，

其中，在门组件(26)的关闭位置，所述门组件室(28)由第一密封件(42)和扩散阻挡件(50)界定，其中，在使用中，经由所述吹扫气体入口(30)供应的吹扫气体经由扩散阻挡件(50)流至排气装置(18)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的分批炉组件，其中，在使用中，经由所述吹扫气体入口(30)供应的吹扫气体以基本固定体积流量供应。

6.根据权利要求4和5所述的分批炉组件，其中，所述门组件室(28)包括限流器(52)，并且其中，在使用中，从所述吹扫气体入口(30)到所述扩散阻挡件(50)的吹扫气体流流过门组件室(28)中的限流器(52)。

7.根据权利要求6所述的分批炉，其中，所述差压传感器组件(32)流体连接到第一门组件室部分(28a)，当沿吹扫气体的流动方向观察时，所述第一门组件室部分(28a)位于所述限流器(52)的上游。

8.根据权利要求6或7所述的分批炉组件，包括位于所述第一门板(40)和第二门板(44)之间的石英环(54)，其中，所述限流器(52)是石英环(54)中的至少一个孔(56)。

9.根据至少从属于权利要求4的前述权利要求中任一项所述的分批炉组件，其中，所述可旋转第三门板(48)配置为支撑晶片舟(80)。

10.根据至少从属于权利要求4的前述权利要求中任一项所述的分批炉组件，其中，所述扩散阻挡件(50)包括位于所述第二门板(44)上的环形突起(58)，所述环形突起具有顶部(60)，所述顶部定位成靠近所述第三门板(48)的底部表面(62)。