[发明专利]半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，用以对一晶圆进行离子植入，包括：

沿着一平移路径相对于一离子束移动多个感测器；

获取由所述感测器在沿该平移路径的多个位置处所产生的多个感测器信号；

将所获取的所述感测器信号转换成代表该离子束的一二维轮廓的一数据集；

从该数据集产生该离子束的多个第一一维轮廓，所述第一一维轮廓中的每一者具有一第一组电流密度值；

通过将该离子束的所述第一一维轮廓中的每一者空间反转来产生该离子束的多个第二一维轮廓，所述第二一维轮廓中的每一者具有一第二组电流密度值；

通过将所述第一一维轮廓中的每一者的第一电流密度值与所述第二一维轮廓中的对应一者的第二电流密度值迭加来产生该离子束的多个第三一维轮廓；

根据所述第三一维轮廓，决定是否继续使用该离子束对该晶圆进行一植入制程；以及

因应决定继续该植入制程，利用该离子束对该晶圆进行该植入制程。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中所述感测器包括在垂直于该平移路径的一方向上以线性方式分隔开的至少十一个感测器。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中产生该离子束的所述第三一维轮廓包括相对于沿该平移路径的一第一点将所述第一一维轮廓中的每一者的所述第一电流密度值与所述第二一维轮廓中的对应一者的所述第二电流密度值迭加，使得所述第一一维轮廓中的每一者及所述第二一维轮廓中的对应一者相对于穿过该第一点的一垂直线是彼此的镜像。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，更包括：

将该离子束的所述第三一维轮廓中的每一者的多个第三电流密度值迭加以产生该离子束的所述第三一维轮廓的多个迭加电流密度值；以及

根据该离子束的所述第三一维轮廓的所述迭加电流密度值计算该离子束的一平均一维轮廓。

5.如权利要求4所述的半导体制造方法，更包括计算该离子束的该平均一维轮廓与一最佳化轮廓相比的一标准差，该最佳化轮廓被存储在一控制器上。

6.如权利要求5所述的半导体制造方法，更包括当该标准差等于或大于一预设阈值时调整该离子束的多个参数。

7.如权利要求6所述的半导体制造方法，其中根据所述第三一维轮廓决定是否继续使用该离子束在该晶圆上的该植入制程包括当该标准差小于该预设阈值时决定继续该植入制程。

8.如权利要求7所述的半导体制造方法，其中该离子束的所述参数包括束强度、束高度、束宽度或前述的组合。

9.一种半导体制造方法，用于调控离子束均匀性，包括：

在一离子植入系统中产生一离子束；

获取代表该离子束的一二维轮廓的一数据集；

从该数据集中产生该离子束的多个第一一维轮廓；

从该离子束的所述第一一维轮廓产生该离子束的多个第二一维轮廓；

将该离子束的所述第二一维轮廓的多个电流密度值迭加以产生该离子束的一组合一维轮廓；

通过将该组合一维轮廓的多个电流密度值除以该离子束的所述第二一维轮廓的数量来计算该离子束的一平均一维轮廓；以及

根据该离子束的该平均一维轮廓决定是否继续使用该离子束进行一植入制程。

10.一种半导体制造方法，包括：

沿着相对于一离子束的一平移路径移动一离子束轮廓仪，使得该离子束轮廓仪覆盖该离子束的一整个截面区域；

使用该离子束轮廓仪上的多个感测器获取代表该离子束的一二维轮廓的一数据集，所述感测器在垂直于该平移路径的一方向上以线性方式分隔开；

从该数据集产生该离子束的一第一一维轮廓；以及

计算该离子束的该第一一维轮廓与一最佳化束轮廓相比的一标准差，其中该最佳化束轮廓包括多个第二一维轮廓的一平均值。