[发明专利]半导体制造方法

说明书

一种半导体制造方法，包括：沿着平移路径相对于离子束移动多个感测器；获取由感测器所产生的感测器信号；将所获取的感测器信号转换成代表离子束的二维轮廓的数据集；从数据集产生离子束的多个第一一维轮廓；通过将离子束的第一一维轮廓中的每一者空间反转来产生离子束的多个第二一维轮廓；通过将第一一维轮廓中的每一者的第一电流密度值与第二一维轮廓中的对应一者的第二电流密度值迭加来产生离子束的多个第三一维轮廓；以及根据第三一维轮廓，决定是否继续使用离子束对晶圆进行植入制程。

技术领域

本公开实施例是关于一种半导体制造方法，特别是关于一种感测离子束的一维轮廓来决定是否进行离子植入制程的半导体制造方法。

背景技术

由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度这种进步源自于不断地缩小最小特征尺寸，这使得更多的元件可以整合到给定的区域中。随着最近对小型化、更高速度、更大频宽以及更低功耗和延迟的需求不断增加，对更小、更具创造性的半导体晶粒封装技术的需求也在成长。

随着半导体技术的发展，半导体制造制程变得更加复杂，因此需要复杂的设备和固定装置。在半导体制程中，集成电路是在半导体晶圆上制造的。在通过切割半导体晶圆来分隔开多个集成电路之前，半导体晶圆要经过许多制程步骤。制程步骤可包括微影、蚀刻、掺杂和沉积不同材料。

离子植入是一种用于将不同原子或分子掺杂到晶圆中的制程技术。通过采用离子植入，可以改变多数电荷载流子以便在晶圆中产生具有不同类型和程度的导电性的区域。在离子植入机中，离子产生器可产生离子束且将离子束导向目标晶圆。

在进行离子植入制程之前，可以采用多种离子植入监测系统来表示离子束的特征。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体制造方法，用以对晶圆进行离子植入，包括：沿着平移路径相对于离子束移动感测器；获取由感测器在沿平移路径的多个位置处所产生的感测器信号；将所获取的感测器信号转换成代表离子束的二维轮廓的数据集；从数据集产生离子束的多个第一一维轮廓，第一一维轮廓中的每一者具有第一组电流密度值；通过将离子束的第一一维轮廓中的每一者空间反转来产生离子束的多个第二一维轮廓，第二一维轮廓中的每一者具有第二组电流密度值；通过将第一一维轮廓中的每一者的第一电流密度值与第二一维轮廓中的对应一者的第二电流密度值迭加来产生离子束的多个第三一维轮廓；根据第三一维轮廓，决定是否继续使用离子束对晶圆进行植入制程；以及因应决定继续植入制程，利用离子束对晶圆进行植入制程。

本公开实施例提供一种半导体制造方法，用于离子束均匀性调控，包括：包括在离子植入系统中产生离子束；获取代表离子束二维(2D)轮廓的数据集；从数据集中产生离子束的多个第一一维(1D)轮廓；从离子束的第一一维轮廓产生离子束的多个第二一维轮廓；将离子束的第二一维轮廓的电流密度值迭加以产生离子束的组合一维轮廓；通过将组合一维轮廓的电流密度值除以离子束的第二一维轮廓的数量来计算离子束的平均一维轮廓；根据离子束的平均一维轮廓，决定是否继续以离子束进行植入制程。

本公开实施例提供一种半导体制造方法，包括：沿着相对于离子束的平移路径移动离子束轮廓仪，使得离子束轮廓仪覆盖离子束的整个截面区域；使用离子束轮廓仪上的多个感测器获取代表离子束二维(2D)轮廓的数据集，多个感测器在垂直于平移路径的方向上以线性方式分隔开；从数据集产生离子束的第一一维(1D)轮廓；计算离子束的第一一维轮廓与最佳化束轮廓相比的标准差，其中最佳化束轮廓包括多个第二一维轮廓的平均值。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图式中的各种特征未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及图式中以相似的标号标示相似的特征。

图1绘示根据本公开实施例的离子植入系统的示意图。