[发明专利]低温漂带隙基准电路及带隙基准源

权利要求书

1.一种低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述低温漂带隙基准电路包括温度传感器模块、温度范围判断模块和带隙基准源模块，其中：

所述温度传感器模块用于感测温度，输出温度码；

所述温度范围判断模块，与所述温度传感器模块连接，用于接收所述温度码，判断所处温度区间，输出控制信号；

所述带隙基准源模块，与所述温度范围判断模块连接，根据所述控制信号调节温漂。

2.如权利要求1所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述温度范围判断模块包括温度比较器模块和数字逻辑模块，其中：

所述温度比较器模块接收所述温度码，与温度码参考数值信号比较，输出比较结果；

所述数字逻辑控制模块，与所述温度比较器模块连接，用于接收所述比较结果，输出所述控制信号。

3.如权利要求2所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述温度比较器模块包括数值比较器，所述数值比较器包括第一输入端，第二输入端和第三输出端，其中：

所述第一输入端用于输入所述温度码；

所述第二输入端用于输入所述温度码参考数值信号；

所述第三输出端根据所述温度码和所述温度码参考数值信号的大小输出所述比较结果。

4.如权利要求3所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于：

在所述温度码大于等于所述温度码参考数值信号的情况下，所述第三输出端输出高电平；

在所述温度码小于所述温度码参考数值信号的情况下，所述第三输出端输出低电平。

5.如权利要求1所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准源模块包括第一晶体管、第二晶体管，第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻，误差放大器，其中：

所述第二电阻与所述第一晶体管的集电极和发射极并联；

所述第一场效应管的源极电连接供电电源，漏极电连接所述第一晶体管的发射极，所述第一晶体管的集电极接地；

所述误差放大器的负输入端电连接所述第一晶体管的发射极，正输入端电连接所述第二场效应管的漏极，输出端电连接所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极；

所述第二场效应管的源极电连接所述供电电源，漏极与所述第一电阻、所述第五电阻依次串联后，连接所述第二晶体管的发射极；

所述第二晶体管的集电极和基极接地；

所述第三电阻的一端电连接所述第二场效应管的漏极，另一端接地；

所述第三场效应管的源极电连接所述供电电源，漏极与所述第四电阻、所述第六电阻依次串联后接地。

6.如权利要求5所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述第三场效应管的漏极输出带隙基准的输出电压：

其中，Vref为所述带隙基准的输出电压，V_BE1为所述第一晶体管发射极和基极间的电压，VT为热电压，R1为所述第一电阻，R2为所述第二电阻，R4为所述第四电阻，R_trim1为所述第五电阻、R_trim2为所述第六电阻。

7.如权利要求6所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述第五电阻的阻值由所述温度范围判断模块输出的所述控制信号控制。

8.如权利要求7所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述热电压的系数为：

所述K2为所述热电压的系数，通过所述控制信号改变所述第五电阻的阻值改变所述热电压的系数，调节温漂。

9.如权利要求6所述的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述第二电阻和所述第三电阻的阻值相同。

10.一种带隙基准源，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的低温漂带隙基准电路。