[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210706183.3 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115377001A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;陈振平;游家豪;李筱雯;林志翰;张铭庆;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
在一基底的上方形成多个鳍状物；
形成多个虚设栅极，其在所述鳍状物的上方被图形化，每个所述虚设栅极在所述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物；
借由使用所述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在所述鳍状物形成多个凹部；
在所述鳍状物的上方及在所述鳍状物中的所述凹部形成一钝化层；
图形化该钝化层，以仅在所述鳍状物中的所述凹部中的一些留下一保留的钝化结构；以及
仅在所述鳍状物中不具该保留的钝化结构的所述凹部外延形成多个源极与漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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