[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。

技术领域

本发明实施例一般是关于一种半导体装置，在一些实施例中是关于晶体管装置，包括经由钝化层提供一通道切口。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业已历经指数型的成长。在集成电路材料及设计方面的技术进步已制造出数个世代的集成电路，每个世代与其前一个世代相比，具有较小且较复杂的电路。在集成电路革命的进程中，已一般性地增加功能密度(举例而言：在单位芯片面积互连的装置数量)，而几何尺寸(举例而言：使用一制造制程所能制作的最小构件(或是，线))却已减少。这样的尺寸缩减的过程一般借由增加制造效率及降低相关成本而获益。如此的尺寸缩减亦已经增加集成电路结构(例如，三维晶体管)及制程上的复杂度，并且为了要实现这些进展，在集成电路处理与制造方面需要类似的发展。例如，当持续缩减装置尺寸，场效晶体管的装置效能(例如，与各种缺陷相关的装置效能的降低)及制造成本变得愈来愈受到挑战。尽管用以解决这样的挑战的方法一般而言足堪应付，但未能在所有方面完全得到满足。

在集成电路领域，愈来愈普遍使用鳍式场效晶体管(Fin field-effectTransistor；FinFET)装置。鳍式场效晶体管装置具有三维结构，包括从一基底突出的一鳍状物。一栅极结构，设置来控制电荷载子在此鳍式场效晶体管装置的一导体通道区内的流动，则包裹在此鳍状物的周围。例如，在一鳍式场效晶体管装置，其栅极结构包裹在此鳍状物的三个边的周围，借此在此鳍状物的三个边形成导体通道。

发明内容

一实施例是关于一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。

另一实施例是关于一种半导体装置。上述半导体装置包括一基底。多个鳍状物置于上述基底的上方。多个凹部置于每个上述鳍状物。仅在上述凹部中的一些设置一钝化层。仅在未具有上述钝化层于其中的上述凹部设置源极与漏极区。

又另一实施例是关于一种半导体装置。上述半导体装置包括一基底。多个鳍状物置于上述基底的上方，每个上述鳍状物包括多个半导体子层。多个凹部置于每个上述鳍状物。仅在上述凹部中的一些设置一钝化层。多个内间隔物，其横向邻近上述鳍状物中的上述凹部的侧壁上的导电栅极材料。上述内间隔物并未置于具有上述钝化层于其中的上述鳍状物中的上述凹部。

附图说明

借由以下的详述配合所附图式可更加理解本文公开的内容。要强调的是，根据产业上的标准作业，各个部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，可能任意地放大或缩小各个部件的尺寸。

图1显示根据一些实施例制作一半导体装置的一例示方法的流程图。

图2A显示一剖面图，其沿着根据一些实施例借由图1的方法在各种制造阶段的期间制作的一半导体装置的不具栅极的方向(在图16的透视图的Y-Y方向)切下。

图2B显示一剖面图，其沿着根据一些实施例借由图1的方法在各种制造阶段的期间制作的一半导体装置的不具栅极的方向(在图17的透视图的Y-Y方向)切下，此装置可以是一全绕式栅极场效晶体管。