[发明专利]一种掩膜版光刻胶厚度测量装置及测量方法在审
申请号: | 202210707177.X | 申请日: | 2022-06-21 |
公开(公告)号: | CN115014215A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 魏晖;蔡舫;龚清华;李伟 | 申请(专利权)人: | 合肥清溢光电有限公司 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人: | 殷娟 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 光刻 厚度 测量 装置 测量方法 | ||
1.一种掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:包括用于测量待测样板(2)光刻胶厚度的测量单元,以及主控单元,所述主控单元接收测量单元的检测数据,并对检测数据进行处理,得到待测样板(2)的光刻胶厚度;
所述主控单元利用来自表面光刻胶的反射光与来自基板的反射光之间的干涉计算得到标准波形,并根据测量得到的测量波形与标准波形进行拟合,将匹配度最高的标准波形对应的光刻胶厚度作为测量结果。
2.根据权利要求1所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:所述主控单元基于下式利用来自表面光刻胶的反射光与来自基板的反射光之间的干涉计算得到标准波形:
L=2nd
其中,L为光程差,n为光刻胶反射率,d为光刻胶厚度,光程差L和光刻胶反射率n均与光源波长λ相关。
3.根据权利要求2所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:所述标准波形和测量波形均为“光源波长λ-光刻胶反射率n”的波形曲线图。
4.根据权利要求1所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:所述测量单元包括光源(3),依次设置于光源(3)前方的滤光镜(4)、第一快门(5)、单向透过镜(6),设置于单向透过镜(6)、待测样板(2)之间的物镜(7),依次设置于单向透过镜(6)上方的目镜(8)、第二快门(9)、反光镜(10),用于接收反光镜(10)反射光线的光栅(11),以及用于采集光栅图像并与主控单元电性连接的CCD相机(12)。
5.根据权利要求4所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:还包括用于驱动测量单元进行往复移动的运动单元,所述主控单元通过运动单元驱动测量单元对待测样板(2)的光刻胶厚度进行多点检测,并最终计算出待测样板(2)光刻胶厚度的均匀性。
6.根据权利要求5所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:所述主控单元通过通讯导线与CCD相机(12)、运动单元电性连接,所述CCD相机(12)通过通讯导线将采集光栅图像发送给主控单元,所述主控单元通过通讯导线将设定检测坐标发送给运动单元,使得运动单元按照设定检测坐标驱动测量单元进行多点检测。
7.根据权利要求6所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置,其特征在于:还包括放置待测样板(2)的载物台(1),所述待测样板(2)包括由光刻胶构成的膜层,以及由镀铬石英玻璃构成的基板。
8.一种基于权利要求1所述的掩膜版光刻胶厚度测量装置的测量方法,其特征在于:利用来自表面光刻胶的反射光与来自基板的反射光之间的干涉计算得到标准波形,并根据测量得到的测量波形与标准波形进行拟合,将匹配度最高的标准波形对应的光刻胶厚度作为测量结果。
9.根据权利要求8所述的掩膜版光刻胶厚度测量方法,其特征在于:所述利用来自表面光刻胶的反射光与来自基板的反射光之间的干涉计算得到标准波形,包括:
采用下式计算得到标准波形:
L=2nd
其中,L为光程差,n为光刻胶反射率,d为光刻胶厚度,光程差L和光刻胶反射率n均与光源波长λ相关。
10.根据权利要求9所述的掩膜版光刻胶厚度测量方法,其特征在于:所述标准波形和测量波形均为“光源波长λ-光刻胶反射率n”的波形曲线图。
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