[发明专利]半导体设备和制造半导体设备的方法

权利要求书

1.一种制造半导体设备的方法，包括：

将通过使第一基板和第二基板接合以使得第一接合层和第二接合层彼此面对而形成的接合基板分割成多个半导体设备，所述第一基板具有第一主表面和第二主表面并且在第一主表面侧依次设置有第一互连结构层和第一接合层，所述第二基板具有第三主表面和第四主表面并且在第三主表面侧设置有第二接合层，

其中，接合基板在平面图中包括多个功能元件区域和划线区域，

其中，所述分割包括

在划线区域中形成凹槽，并且

在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板，

其中，在形成凹槽时，贯穿第一基板和第二基板中的一个、第一互连结构层、第一接合层、以及第二接合层的凹槽被形成，并且

其中，凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。

2.根据权利要求1所述的制造半导体设备的方法，

其中，第二基板还包括设置在第三主表面和第二接合层之间的第二互连结构层，并且

其中，凹槽被形成为进一步贯穿第二互连结构层。

3.根据权利要求1或2所述的制造半导体设备的方法，

其中，接合基板还包括第三基板，所述第三基板部署在第一基板和第二基板之间，具有第五主表面和第六主表面，在第五主表面侧依次设置有第三互连结构层和第三接合层，并且在第六主表面侧设置有第四接合层，并且

其中，凹槽被形成为进一步贯穿第三基板、第三接合层和第四接合层。

4.根据权利要求1或2所述的制造半导体设备的方法，其中，在所述分割中，接合基板在围绕一个功能元件区域的一个凹槽和围绕与所述一个功能元件区域相邻的另一功能元件区域的另一凹槽之间的区域中被切断。

5.根据权利要求1或2所述的制造半导体设备的方法，其中，在所述分割中，接合基板在与凹槽部分地重叠的区域中被切断。

6.根据权利要求1或2所述的制造半导体设备的方法，其中，凹槽被设置为从第一基板的第二主表面侧到达第二基板。

7.根据权利要求6所述的制造半导体设备的方法，其中，接合基板还包括开口，所述开口被设置为从第一基板的第二主表面侧到达设置在第一互连结构层中的焊盘电极。

8.根据权利要求6所述的制造半导体设备的方法，

其中，第二基板还包括设置在第三主表面和第二接合层之间的第二互连结构层，并且

其中，接合基板还包括开口，所述开口被设置为从第一基板的第二主表面侧到达设置在第二互连结构层中的焊盘电极。

9.根据权利要求6所述的制造半导体设备的方法，

其中，接合基板在平面图中还包括在划线区域和所述多个功能元件区域中的每一个之间的防护环区域，并且

其中，第二基板还包括绝缘结构，所述绝缘结构设置在防护环区域中以便围绕所述多个功能元件区域中的每一个。

10.根据权利要求1或2所述的制造半导体设备的方法，

其中，凹槽被设置为从第二基板的第四主表面侧到达第一基板，并且

其中，接合基板还包括开口，所述开口被设置为从第二基板的第四主表面侧到达设置在第一互连结构层中的焊盘电极。

11.根据权利要求1或2所述的制造半导体设备的方法，

其中，凹槽被设置为从第二基板的第四主表面侧到达第一基板，

其中，第二基板还包括设置在第三主表面和第二接合层之间的第二互连结构层，并且

其中，接合基板还包括开口，所述开口被设置为从第二基板的第四主表面侧到达设置在第二互连结构层中的焊盘电极。