[发明专利]半导体设备和制造半导体设备的方法在审
| 申请号： | 202210707666.5 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115527931A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 觸泽绫子;立石禄则;冨吉俊夫;蜂巢高弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 制造 方法 | ||
公开了半导体设备和制造半导体设备的方法。所公开的制造半导体设备的方法包括将接合基板分割成多个半导体设备，接合基板包括设置有互连结构层和第一接合层的第一基板、以及设置有与第一接合层相对的第二接合层的第二基板。接合基板在平面图中包括功能元件区域和划线区域。该分割包括在划线区域中形成凹槽，并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板。贯穿第一基板和第二基板中的一个、互连结构层、以及第一接合层和第二接合层的凹槽被形成。凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。
技术领域
本发明涉及半导体设备和制造半导体设备的方法。
背景技术
日本专利申请公开No.2020-025115公开了一种在分割设置有电路的半导体基板的步骤中通过干法刻蚀对半导体基板进行切割来避免半导体基板的切断面上的碎屑的制造半导体设备的方法。
日本专利申请公开No.2018-022924公开了一种制造方法，其中在将设置有电路的半导体基板和支撑基板被接合的半导体设备分割的步骤中通过干法刻蚀沿着切割线在半导体设备的外边缘内部形成凹槽。该凹槽可以用作用于防止因切割而在半导体设备内部出现裂纹的凹槽。
然而，在日本专利申请公开No.2020-025115和日本专利申请公开No.2018-022924中描述的技术中，当基板被切割成单个件时，不总是可以抑制半导体设备的内部出现裂纹。
发明内容
本发明的目的是提供包括通过切割处理将基板分割成单个半导体设备的步骤的半导体设备的制造方法，其中可以有效地抑制在半导体设备内部出现裂纹。
根据本说明书的一个公开内容，提供了一种制造半导体设备的方法，包括：将通过使第一基板和第二基板接合以使得第一接合层和第二接合层彼此面对而形成的接合基板分割成多个半导体设备，第一基板具有第一主表面和第二主表面并且在第一主表面侧依次设置有第一互连结构层和第一接合层，第二基板具有第三主表面和第四主表面并且在第三主表面侧设置有第二接合层，其中，接合基板在平面图中包括多个功能元件区域和划线区域，其中，所述分割包括：在划线区域中形成凹槽，并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板，其中，在形成凹槽时，贯穿第一基板和第二基板中的一个、第一互连结构层、第一接合层、以及第二接合层的凹槽被形成，并且其中，凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。
根据本说明书的另一公开内容，提供了一种制造半导体设备的方法，包括：将通过使第一基板和第二基板接合以使得第一接合层和第二接合层彼此面对而形成的接合基板分割成多个半导体设备，第一基板具有第一主表面和第二主表面并且在第一主表面侧依次设置有第一互连结构层和第一接合层，所述第二基板具有第三主表面和第四主表面并且在第三主表面侧依次设置有包括互连层的第二互连结构层和第二接合层，其中，接合基板在平面图中包括多个功能元件区域和划线区域，其中，所述分割包括：在划线区域中形成凹槽，并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板，并且其中，在形成凹槽时，凹槽贯穿第一基板和第二基板中的一个、第一互连结构层、互连层、第一接合层、以及第二接合层。
根据本说明书的又一公开内容，提供了一种制造半导体设备的方法，包括：将通过使第一基板和第二基板接合以使得第一接合层和第二接合层彼此面对而形成的接合基板分割成多个半导体设备，第一基板具有第一主表面和第二主表面并且在第一主表面侧依次设置有第一互连结构层和第一接合层，第二基板具有第三主表面和第四主表面并且在第三主表面侧设置有第二接合层，其中，接合基板在平面图中包括多个功能元件区域和划线区域以及凹槽，所述凹槽形成在划线区域中以便贯穿第一基板和第二基板中的一个、第一互连结构层、第一接合层、以及第二接合层，并且其中，在所述分割中，接合基板在凹槽的内侧表面之外的区域中被切断。
根据以下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。
附图说明
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
