[发明专利]一种钛掺杂介孔二氧化硅及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种钛掺杂介孔二氧化硅，其特征在于，其由介孔二氧化硅负载二氧化钛得到，其比表面积为300～1000m²/g，孔体积为0.4～1.5cm³/g，平均孔径为2～20nm。

2.根据权利要求1所述的钛掺杂介孔二氧化硅，其特征在于，所述钛掺杂介孔二氧化硅中钛元素质量百分含量为1～50％。

3.一种权利要求1或2所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)将P123加入盐酸溶液中，加热搅拌溶解得到P123溶液，再加入正硅酸乙酯，保持加热，并搅拌20～60h后进行晶化处理，结束后待温度降至室温，滤出固体，洗涤，干燥，最后焙烧除去P123，得到介孔二氧化硅；

2)将步骤1)所得介孔二氧化硅超声分散于异丙醇中，然后在搅拌条件下逐滴滴加钛酸四丁酯，再加入水，15～35℃下搅拌反应1～6h，反应结束后将反应得到的混合物离心，将离心所得沉淀物洗涤、干燥，最后煅烧得到钛掺杂介孔二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，步骤1)所述盐酸溶液浓度为0.1～2mol/L，所述P123溶液质量浓度为10～50g/L；步骤1)加热搅拌温度为25～50℃。

5.根据权利要求3所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，步骤1)所述P123与正硅酸乙酯的质量比为1：1～3。

6.根据权利要求3所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，步骤1)晶化处理温度为60～140℃，晶化处理时间为20～60h。

7.根据权利要求3所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，步骤1)焙烧工艺条件为：室温下以1～5℃/m1n的升温速率升温至500～600℃，保温3～8h。

8.根据权利要求3所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，步骤2)所述介孔二氧化硅与异丙醇的质量体积比为1g/5～50mL；步骤2)所述介孔二氧化硅与钛酸四丁酯的质量比为1：0.1～10；步骤2)所述钛酸四丁酯与水的质量比为1：5～20。

9.根据权利要求3所述的钛掺杂介孔二氧化硅的制备方法，其特征在于，步骤2)锻烧工艺条件为：室温下以1～5℃/m1n的升温速率升温至200～500℃，保温2～6h。

10.一种权利要求1或2所述的钛掺杂介孔二氧化硅作为吸附剂在去除水中草甘膦方面的应用，其特征在于，具体使用方法为：将所述钛掺杂介孔二氧化硅加入含草甘膦的水体中，钛掺杂介孔二氧化硅的加入量为0.2～2g/L，调节体系pH值为1～13，搅拌处理5～1000m1n。