[发明专利]一种磁控溅射设备中遮挡件冷却的适配器及磁控溅射设备

说明书

本发明公开了一种用于磁控溅射设备中遮挡件冷却的适配器及磁控溅射设备，其中适配器，包括壳体，沿遮挡件的周向设置，所述壳体包括:延伸部和主体部，所述主体部沿周向设有安装槽，所述延伸部与所述主体部连接，并沿着所述遮挡件的周向设置；冷却件，所述冷却件设置于所述安装槽内，用于冷却所述遮挡件。磁控溅射设备，包括：真空腔体以及从上至下依次设置在真空腔体内的靶材、以及本发明公开的适配器、遮挡件以及衬底。本发明实施例公开的适配器包含冷却件，设置于遮挡件外，可在设备运行时，降低遮挡件温度。

技术领域

本发明涉及磁控溅射技术领域，特别涉及一种磁控溅射设备中遮挡件冷却的 适配器及磁控溅射设备。

背景技术

PVD磁控溅射是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉 积在晶圆片上，溅射过程中也会溅射到腔体里，从而需要遮挡件来遮挡溅射出 的粒子形成的薄膜，避免沾污腔体。然而，在磁控溅射设备运行中，遮挡件的 温度会逐渐升高，遮挡件的温度会影响到沉积速率和方块电阻的均匀性，并随 着工艺的时间越长，磁控溅射设备运行功率越大，遮挡件由于高真空下的散热 问题会越来越严重。

现有技术中，基于物理气相沉积技术的磁控溅射设备，真空溅射腔体内部 遮挡件都无冷却机构，在热铝，LIFT-OFF，等工艺中，遮挡件散热成为了非常 重要的一个问题。

发明内容

为了解决现有技术中的至少一个技术问题，本发明实施例提供了一种用于 磁控溅射设备中遮挡件冷却的适配器及磁控溅射设备，技术方案如下：

一种用于磁控溅射设备中遮挡件冷却的适配器，与溅射腔体和溅射源连接， 包括：

壳体，沿所述遮挡件的周向设置，所述壳体包括:延伸部和主体部，所述主 体部沿周向设有安装槽，所述延伸部与所述主体部连接，并沿着所述遮挡件的 周向设置；

冷却件，所述冷却件设置于所述安装槽内，用于冷却所述遮挡件。

进一步地，所述主体部的内侧形成有：螺纹段、倾斜段，所述倾斜段自所 述延伸部的端面向外倾斜，所述螺纹段与所述倾斜段连接，所述螺纹段的内壁 设有设有螺纹。

进一步地，所述主体部的内侧形成有：安装段，所述安装段与所述遮挡件 连接，所述壳体通过所述安装段设置于所述遮挡件外。

进一步地，所述壳体与所述遮挡件之间形成有间隙空间，所述间隙空间的 宽度为0.2mm～0.5mm。

进一步地，所述壳体的导热系数大于所述遮挡件的导热系数。

进一步地，所述冷却件，包括：

冷却管，所述冷却管内流通冷却介质，通过所述冷却介质与所述遮挡件进 行热交换，降低所述遮挡件的温度。

进一步地，所述冷却管的进口端与介质源设备的出口端连接，所述冷却管 的出口端与介质回收设备的进口端连接，所述介质源设备与所述介质回收设备 连接。

第二方面，本发明还公开一种磁控溅射设备，包括：

真空腔体以及从上至下依次设置在所述真空腔体内的靶材、如第一方面任 一项所述的适配器、遮挡件以及衬底，其中所述适配器安装于所述遮挡件上。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

1、本发明实施例公开的适配器包含冷却件，设置于遮挡件外，可在设备运 行时，降低遮挡件温度；

2、本发明实施例公开的适配器包括延伸部和主体部，与遮挡件具有较大的 热辐射面积，可提高适配器对遮挡件的散热效果；

3、本发明实施例公开的适配器的壳体与所述遮挡件之间间隙较小，可增强 适配器对遮挡件的散热效果。

附图说明