[发明专利]一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备

说明书

本发明公开了一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备，涉及化学气相沉积装置清洗技术领域。本发明的一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备，包括一次剥离→二次剥离→研磨→喷砂→化学抛光→OVEN烘干→出库检查→包装；未剥离干净的气体扩散器进行二次剥离，所述二次剥离包括湿式喷砂→高压水洗，通过采用湿式喷砂去除局部残留，减少药液浸泡，避免孔径扩张，以保证气体扩散器孔径扩张量0.03mm；另外，采用湿式喷砂局部作业时表面粗糙度不会明显变大，可满足气体扩散器表面具有一定粗糙度的要求，并保证研磨的均匀性。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积装置清洗技术领域，更具体地说是一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设备。

背景技术

在TFT-LCD制造工艺中，使用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备在玻璃基板上生成绝缘膜、半导体膜。该设备借助微波或者射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在反应腔室内形成等离子体，而等离子体化学活性很强，易发生化学反应，在玻璃基板上沉积出所期望的薄膜。沉积薄膜膜厚的均匀度及膜层质量有气体扩散器的孔径直接决定，需要有通气孔孔径大小一致的气体扩散器。实际生产中，薄膜在反应腔室内也会沉积。腔室四周的薄膜如果不及时清除，会随着生产进行而越来越厚，而出现膜层脱落导致Particle不良高发。因此，生产过程中会周期性地清除腔室四周的薄膜，一般使用F-刻蚀，在刻蚀过程中不可避免地对腔室内配件(包括气体扩散器，基座，遮覆框架)产生污染。因此，这些配件需要进行周期性维护、清洗。另外，反应气体从腔室的中间进入腔室内，因此气体扩散器中间往往比四周受污染层度要严重。

气体扩散器的维修流程中，剥离工艺一般采用统一时间(反复验证的90％的气体扩散器表面脏污能完全去除的时间)的化学药品浸泡来实现气体扩散器表面脏污去除的目的，但出于控制气体扩散器孔径的目的，也要尽可能减少化学药品浸泡的时间。目前，出现在统一时间的化学药品浸泡后气体扩散器中间未剥离干净而四周完全剥离干净的情况时，一般采用以下流程：一次药液剥离→剥离喷砂→二次药液剥离→研磨→喷砂→化学抛光→OVEN烘干→出库检查→包装。其中，药液剥离指的是药品浸泡去除表面污染物，剥离喷砂指的是通过物理的干式喷砂，使表面污染物松动，方便二次药液的剥离。上述工艺流程比较复杂，且生产成本升高、作业时间长，并且进一步延长剥离时间，有使气体扩散器部分孔径扩张(孔径扩张量0.03mm)从而降低气体扩散器使用性能的风险。

发明内容

1.发明要解决的技术问题

针对现有技术中气体扩散器使用化学药品浸泡后未剥离干净而采用一次药液剥离→剥离喷砂→二次药液剥离→研磨→喷砂→化学抛光→OVEN烘干→出库检查→包装等工序时，易造成孔径扩张从而降低气体扩散器使用性能的问题，本发明提出一种气体扩散器清洗工艺，对未剥离干净的气体扩散器进行二次剥离，从而在保证气体扩散器表面完全剥离的前提下，减少工艺流程，减少作业时间，从而控制气体扩散器孔径扩张量0.03mm。

2.技术方案

为达到上述目的，本发明提供的技术方案为：

一种气体扩散器清洗工艺，包括一次剥离→二次剥离→研磨→喷砂→化学抛光→OVEN烘干→出库检查→包装，所述一次剥离在温度30～40℃温度下，使用浓度为160g/l～200g/l的无机酸浸泡5～10H，其中无机酸成分为硝酸，硝酸对气体扩散器本体材质铝的刻蚀速度较慢，不会造成严重腐蚀，浸泡时间过长孔径会扩大；一次剥离后进行产品表面污染物的确认，表面沉积物的剥离干净程度主要是通过观察气体扩散器外观来判断。采用一次剥离时，首先对产品污染的程度进行划分，从而对不同产品需要药液浸泡的时间进行设定，以避免一次剥离孔径扩张偏大；未剥离干净(表面有沉积物残留，异色即可判定未剥离)的气体扩散器需进行二次剥离，如果不需要二次剥离，产品也是需要烘干、检查、包装这一系列流程的，通过采用二次剥离从而在保证气体扩散器表面完全剥离的前提下，减少工艺流程，减少作业时间，在整个清洗工艺中，气体扩散器孔径扩张量0.03mm。