[发明专利]光刻对准标记

权利要求书

1.一种光刻对准标记，其特征在于，所述光刻对准标记形成于薄膜层中，所述薄膜层需要依次通过N次刻蚀分别形成N种刻蚀图形，N为自然数，N≥2，从俯视角度观察，所述对准标记包括：

N个对准图形，所述N个对准图形中的每个对准图形具有其对应的刻蚀图形，且每个对准图形之间不具有交叠区域，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成。

2.根据权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述N个对准图形中的第i对准图形与所述N种刻蚀图形中的第i刻蚀图形相对应，所述第i对准图形和所述第i刻蚀图形是通过第i次刻蚀形成，i为自然数，1≤i≤N；

从俯视角度观察，对于所述N个对准图形中的第i对准图形和第i+1对准图形，所述第i对准图形位于所述第i+1对准图形的外侧。

3.根据权利要求2所述的对准标记，其特征在于，对于所述N个对准图形中的第i对准图形，其包括四个L型的子图形，所述四个L型的子图形组成框型的图形。

4.根据权利要求1至3任一所述的对准标记，其特征在于，所述刻蚀图形是后端结构中的接触孔对应的图形，所述薄膜层为层间介质层。

5.根据权利要求4所述的对准标记，其特征在于，所述对准图形和所述刻蚀图形是通过光刻工艺进行湿法刻蚀形成。

6.根据权利要求5所述的对准标记，其特征在于，所述对准标记包括第一对准图形、第二对准图形和第三对准图形，所述第一对准图形位于所述第二对准图形的外侧，所述第二对准图形位于所述第三对准图形的外侧；

所述薄膜层需要依次通过三次刻蚀分别形成第一刻蚀图形、第二刻蚀图形和第三刻蚀图形，所述第一刻蚀图形和所述第一对准图形相对应，所述第二刻蚀图形和所述第二对准图形相对应，所述第三刻蚀图形和所述第三对准图形相对应；

所述第一刻蚀图形和所述第一对准图形通过第一次刻蚀形成，所述第二刻蚀图形和所述第二对准图形通过第二次刻蚀形成，所述第三刻蚀图形和所述第三对准图形通过第三次刻蚀形成。

7.根据权利要求6所述的对准标记，其特征在于，所述对准标记应用于FinFET器件的制作过程中。