[发明专利]光刻对准标记

说明书

本申请公开了一种光刻对准标记，其形成于薄膜层中，该薄膜层需要依次通过N次刻蚀分别形成N种刻蚀图形，N为自然数，N≥2，从俯视角度观察，该对准标记包括：N个对准图形，每个对准图形具有其对应的刻蚀图形，且每个对准图形之间不具有交叠区域，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成。本申请通过将对准标记设置为N个互相之间不具有交叠区域的对准图形，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成，从而避免了需要进行多次刻蚀的薄膜层每次光刻中都使用位于同一位置的对准标记导致该对准标记经过多次刻蚀后叠加的深度较深的问题，在一定程度上提高了器件的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻对准标记。

背景技术

在半导体集成电路制造的光刻工艺过程中，当晶圆经由光阻覆盖和烘烤后会被传送至光刻设备中，放置在光刻设备的晶圆工件台上，同时掩模板被放置于光刻设备的掩模工件台上，光刻设备的对准系统(alignment system)会通过晶圆上形成的对准标记使晶圆与掩模板进行对准，从而进行曝光。

参考图1，其示出了相关技术中提供的一种光刻对准标记的俯视示意图。如图1所示，薄膜层120上共有四类需要进行刻蚀的区域：对准标记130、第一刻蚀图形141、第二刻蚀图形142和第三刻蚀图形143，其中，第一刻蚀图形141是薄膜层120进行第一次刻蚀时需要刻蚀的区域，第二刻蚀图形142是薄膜层120进行第二次刻蚀时需要刻蚀的区域，第三刻蚀图形143是薄膜层120进行第三次刻蚀时需要刻蚀的区域，第一次刻蚀、第二次刻蚀和第三次刻蚀都需要对对准标记130所在的区域进行刻蚀。

参考图2，其示出了在进行对准图形和刻蚀图形前的剖面示意图；参考图3，其示出了第一次刻蚀后沿AA’方向的剖面示意图；参考图4，其示出了第二次刻蚀后沿AA’方向的剖面示意图；参考图5，其示出了第三次刻蚀后沿AA’方向的剖面示意图。示例性的：

如图2和图3所示，薄膜层120形成于薄膜层110上，在通过光刻工艺(光阻覆盖除对准标记130和第一刻蚀图形141以外的其它区域)进行第一次刻蚀后，在薄膜层120中形成有对准标记130对应的对准沟槽131，第一刻蚀图形141对应的第一沟槽1411。

如图4所示，在通过光刻工艺(光阻覆盖除对准标记130和第二刻蚀图形142以外的其它区域)进行第二次刻蚀后，在薄膜层120中形成有第二刻蚀图形142对应的第二沟槽1421，由于对准标记130所在的区域暴露，因此在进行第二次刻蚀后，对准沟槽131的深度进一步加深。

如图5所示，在通过光刻工艺(光阻覆盖除对准标记130和第三刻蚀图形143以外的其它区域)进行第三次刻蚀后，在薄膜层120中形成有第三刻蚀图形143对应的第三沟槽1431，由于对准标记130所在的区域暴露，因此在进行第三次刻蚀后，对准沟槽131的深度再一次加深。

由上述可知，在对同一层薄膜层进行多次光刻和刻蚀后，该薄膜层的对准标记的深度为多次刻蚀的叠加深度，在某些情况下会刻蚀穿本层的薄膜层，在湿法刻蚀工艺中容易对下层结构造成损伤，从而降低了器件的可靠性。

发明内容

本申请提供了一种光刻对准标记，可以解决相关技术中提供的光刻标记在制作过程中会因为多次刻蚀叠加所导致的器件结构损伤的问题，所述光刻对准标记形成于薄膜层中，所述薄膜层需要依次通过N次刻蚀分别形成N种刻蚀图形，N为自然数，N≥2，从俯视角度观察，所述对准标记包括：

N个对准图形，所述N个对准图形中的每个对准图形具有其对应的刻蚀图形，且每个对准图形之间不具有交叠区域，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成。

在一些实施例中，所述N个对准图形中的第i对准图形与所述N种刻蚀图形中的第i刻蚀图形相对应，所述第i对准图形和所述第i刻蚀图形是通过第i次刻蚀形成，i为自然数，1≤i≤N；