[发明专利]用于感测的封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种用于感测的封装结构，其特征在于，包括：

衬底（300）；

器件结构（200），所述器件结构（200）位于所述衬底（300）的一侧之上，所述器件结构（200）包括感测部（203）和支持部（201），所述支持部（201）环绕所述感测部（203）设置并与所述感测部（203）连接；

顶盖体（100），所述顶盖体（100）位于所述器件结构（200）背离所述衬底（300）的一侧，所述顶盖体（100）具有环形开口部（101），所述顶盖体（100）的所述环形开口部（101）与所述器件结构（200）的所述支持部（201）之间通过氧化层（102）键合，并且所述顶盖体（100）及所述器件结构（200）通过多个导电结构（103）与位于所述衬底（300）上的接地端子电连接，其中，所述多个导电结构（103）以环形的方式间隔排布；

其中，在所述器件结构（200）的厚度方向上，每个所述导电结构（103）贯穿所述器件结构（200）的所述支持部（201）、所述氧化层（102）以及部分贯穿所述顶盖体（100）；每个所述导电结构（103）是金属体，并且所述金属体从所述器件结构（200）远离所述氧化层（102）一侧的表面露出，所述金属体露出所述支持部（201）一侧的表面与所述支持部（201）背离所述氧化层（102）的一侧表面齐平，所述支持部（201）通过键合结构（400）与所述衬底（300）固定连接，其中，在所述器件结构（200）的厚度方向上，所述多个导电结构（103）与所述键合结构（400）的投影重叠。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述导电结构（103）包括嵌入顶盖体（100）内的弧形凸缘结构。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，

所述导电结构（103）的整体呈“T”型，所述导电结构（103）在靠近所述键合结构（400）的一侧还包括与所述导电结构（103）的主延伸方向垂直的导电部，该导电部用于与所述键合结构（400）电连接。

4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电结构（103）的整体呈“锥形”型，所述导电结构（103）还包括除所述弧形凸缘结构以外的剩余部分，其中，在从所述导电结构（103）嵌入顶盖体（100）内的一侧指向所述导电结构（103）靠近所述键合结构（400）一侧的方向上，所述剩余部分的横截面积逐渐增大。

5.如权利要求2至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述键合结构（400）包括：

第一键合体（401），所述第一键合体（401）以环形的方式设置在所述器件结构（200）背离所述氧化层（102）的一侧，并与所述金属体露出所述器件结构（200）的表面相接触；

第二键合体（402），所述第二键合体（402）以环形的方式设置在所述衬底（300）朝向所述器件结构（200）的一侧表面；

其中，所述第一键合体（401）与所述第二键合体（402）对应键合，并且在所述衬底（300）的厚度方向上，所述第一键合体（401）的投影至少部分在与其位置对应的所述第二键合体（402）的投影区域内。

6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，

所述衬底（300）上还设置有至少一个导电焊盘（303），其中，每个所述导电焊盘（303）与位于所述衬底（300）上的信号处理电路结构的对应端口电连接，并且所述至少一个第二键合体（402）中的至少一部分与对应的所述导电焊盘（303）通过走线（305）电连接。

7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，

所述衬底（300）上设置有绝缘层（304），所述至少一个第二键合体（402）以及所述至少一个导电焊盘（303）均位于所述绝缘层（304）远离所述衬底（300）的一侧，并且所述走线（305）设置于所述绝缘层（304）的内部。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述器件结构（200）的材料为单晶硅或者多晶硅；

所述顶盖体（100）的材料为单晶硅。