[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有第一区及第二区，所述第一区上设有若干第一鳍片，所述第二区上设有若干第二鳍片，所述第一鳍片与所述第二鳍片的导电类型相反，且相邻的所述第一鳍片之间的间距及相邻的所述第二鳍片之间的间距均大于相邻的所述第一鳍片与所述第二鳍片的间距；

依次形成硬掩模材料层及侧墙材料层，所述硬掩模材料层顺形地覆盖所述衬底的表面、所述第一鳍片的外壁及所述第二鳍片的外壁，所述侧墙材料层覆盖所述硬掩模材料层，并使相邻的所述第一鳍片与所述第二鳍片之间的侧墙材料层合并形成边界侧墙；

以所述边界侧墙作为所述第一区及所述第二区的间隔层，在所述第一区形成第一外延结构，在所述第二区形成第二外延结构，使所述边界侧墙隔离相邻的所述第一外延结构及所述第二外延结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上覆盖有隔离介质层，所述隔离介质层填充至所述第一鳍片及所述第二鳍片的部分高度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述硬掩模材料层前，在所述隔离介质层上形成若干间隔设置的虚拟栅极，所述虚拟栅极跨越所述第一鳍片及所述第二鳍片。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用ALD工艺形成所述硬掩模材料层及所述侧墙材料层，所述硬掩模材料层顺形地覆盖所述隔离介质层、所述第一鳍片、所述第二鳍片及所述虚拟栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区形成所述第一外延结构的步骤包括：

形成第一图形化的掩模层，覆盖所述第二区及至少部分所述边界侧墙，并暴露所述第一区；

利用所述第一图形化的掩模层，去除所述第一区的侧墙材料层、硬掩模材料层及至少部分高度的所述第一鳍片；

去除所述第一图形化的掩模层，在剩余的所述第一鳍片上外延形成所述第一外延结构，所述第一外延结构与所述边界侧墙的一侧相接触。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一外延结构后，采用ISSG工艺在所述第一外延结构的外壁形成氧化层。

7.根据权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区形成所述第二外延结构的步骤包括：

形成第二图形化的掩模层，覆盖所述第一区及至少部分所述边界侧墙，并暴露所述第二区；

利用所述第二图形化的掩模层，去除所述第二区的侧墙材料层、硬掩模材料层及至少部分高度的所述第二鳍片；

去除所述第二图形化的掩模层，在剩余的所述第二鳍片上外延形成所述第二外延结构，所述第二外延结构与所述边界侧墙的一侧相接触。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩模材料层的材质包括氮化硅，所述侧墙材料层的材质包括氧化硅。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区为P型区，所述第一外延结构的材质包括SiGe，所述第二区为N型区，所述第二外延层的材质包括SiP。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体结构的形成方法。