[发明专利]一种电磁加热器

权利要求书

1.一种电磁加热器，包括磁涡流线圈，驱动模块、微处理器，在微处理器控制下，驱动模块将电池电源的直流电信号变换成调频信号加入到所述磁涡流线圈，产生交变磁场；其特征在于：所述的磁涡流绕圈包括产生交变磁场的初级线圈和次级线圈，还包括对次级线圈功率采样的功率取样电路，所述功率取样电路输入接微处理器，所述的微处理器精准的计算出温度范围。

2.根据权利要求1所述的电磁加热器，其特征在于：所述初级线圈的一端接驱动器电源的输出端(PW_OUT)；次级线圈的一端接功率取样电路接微处理器的ADC端，另一端通过电阻R23接地。

3.根据权利要求2所述的电磁加热器，其特征在于：功率取样电路包括二极管D5、电容C4、电容C9、电阻R34、电阻R39、电阻R50；所述的二极管D5的P端接次级线圈，N极通过电阻R34接微处理器的ADC输入口(MCU_ADC)；在电阻R34两边分别通过电容C4、电阻R50和电阻R39、电容C9接地。

4.根据权利要求1所述的电磁加热器，其特征在于：所述驱动模块包括根据微处理器输出的PWM信号驱动的谐振驱动模块；所述谐振驱动模块包括型号为DTQ6102的N_MOSFET(U23)，所述N_MOSFET(U23)的G极接微处理器输出的PWM信号(PWM_OUT)，S极接接电源正极(PW_OUT)形成驱动磁涡流线圈的驱动信号HEAT，D极输出的电流信号经过采样后接微处理器的ADC输入口(MCU_ADC)。

5.根据权利要求4所述的电磁加热器，其特征在于：所述的N_MOSFET(U23)内烧结有二极管，在N_MOSFET(U23)的S极与驱动信号HEAT之间设置有二极管D21，所述二极管D21的N极接N_MOSFET(U23)的S极。

6.根据权利要求4所述的电磁加热器，其特征在于：在微处理器输出的PWM信号与所述N_MOSFET(U23)的G极之间还设置有PWM桥驱动；所述PWM桥驱动包括三极管Q3和三极管Q4；

微处理器输出的PWM信号经过由电阻R2和电容C4并联组成的电路后接三极管Q3的B极，三极管Q3的E极接地，三极管Q3的B-E极之间接电阻R10；

三极管Q3的C极接三极管Q4的B极，三极管Q4的C极接电源正极(PW_OUT)，三极管Q4的C-B极之间接电阻R8，在三极管Q4的B-E极之间接二极管D1，二极管D1的P极接三极管Q4的E极；

在三极管Q4的E极经过由电阻R38和电容C34并联组成的电路后形成PWM桥驱动的PWM驱动信号(PWM_OUT)。

7.根据权利要求1所述的电磁加热器，其特征在于：在电池与驱动电源之间还设置有电源控制软启动电路；所述电源控制软启动电路包括开关管Q1的S极接电池的正极(BAT+)，D极形成软启动后的电源输出端(PW_OUT)；

还包括三极管Q2和电容C7和电阻R3、电阻R32，二极管D7，开关管Q1的G极分别通过电容C7接S极，通过电阻R32接由微处理器输出的控制信号WK_SK；三极管Q2的C极和E极分别接开关管Q1的G极和电池的正极(BAT+)，三极管Q2的B极接电池的正极(BAT+)，C极通过电阻R32接由微处理器输出的控制信号WK_SK；二极管D7设置在由微处理器输出的控制信号WK_SK与开关管Q1的G极之间，二极管D7的P极接由微处理器输出的控制信号WK_SK。

8.根据权利要求2所述的电磁加热器，其特征在于：还包括谐振分频检测电路，所述谐振分频检测电路的输入端(HEAT)接所述的初级线圈的另一端，包括选频电路和整流滤波电路，初级线圈的信号经过选频电路选频以后，再整流滤波形成直流信号，接微处理器的ADC输入口(MCU_ADC)。

9.根据权利要求8所述的电磁加热器，其特征在于：所述选频电路为RC选频电路，所述RC选频电路包括并联的电阻R13和电容C12。

10.根据权利要求8所述的电磁加热器，其特征在于：所述的整流滤波电路包括整流二极管D3和由电阻R12、电阻R5、电阻R18和电容C33和电容C13组成的π型滤波器。