[发明专利]邦定结构、邦定结构制备方法及显示装置在审
申请号: | 202210727193.5 | 申请日: | 2022-06-24 |
公开(公告)号: | CN115000145A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 郑财;黄沅江 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/603;H05K1/03 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种邦定结构,其特征在于,包括:
第一邦定件,包括第一衬底以及设于所述第一衬底的第一邦定层,所述第一邦定层包括第一邦定部;
第二邦定件,包括第二衬底以及设于所述第二衬底的第二邦定层,所述第二邦定层包括第二邦定部;
所述第一邦定部和所述第二邦定部邦定;
所述第一邦定部背离所述第二邦定部的一侧设置有第一抗膨胀层,所述第一抗膨胀层的热膨胀系数小于所述第一衬底的热膨胀系数;和/或,
所述第二邦定部背离所述第一邦定部的一侧设置有第二抗膨胀层,所述第二抗膨胀层的热膨胀系数小于所述第二衬底的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,所述第一抗膨胀层在所述第一邦定层上的正投影覆盖所述第一邦定部;
所述第二抗膨胀层在所述第二邦定层上的正投影覆盖所述第二邦定部。
3.根据权利要求1或2所述的邦定结构,其特征在于,所述第一邦定件还包括设于所述第一衬底背离所述第一邦定部一侧的支撑层,所述第一抗膨胀层和所述支撑层均设置在所述第一衬底背离所述第一邦定层的一侧表面上,且所述第一抗膨胀层和所述支撑层之间设置有间隙。
4.根据权利要求1或2所述的邦定结构,其特征在于,所述第一邦定层包括相对于所述第一衬底向外延伸的第一延伸部,部分或者全部所述第一延伸部形成所述第一邦定部,在所述第一延伸部背离所述第一邦定件的一侧表面设有所述第一抗膨胀层;和/或,
所述第二邦定层包括相对于所述第二衬底向外延伸的第二延伸部,部分或者全部所述第二延伸部形成所述第二邦定部,在所述第二延伸部背离所述第一邦定件的一侧表面设有所述第二抗膨胀层。
5.根据权利要求4所述的邦定结构,其特征在于,所述第二邦定件还包括设于所述第二衬底背离所述第二邦定层一侧的导电层和设置于所述导电层背离所述第二衬底一侧的第一绝缘保护层;
所述导电层和所述第一绝缘保护层在所述第二衬底上的正投影和所述第二衬底重合,以使所述第二衬底、所述导电层和所述第一绝缘保护层靠近所述第二延伸部的侧面和所述第二延伸部之间形成镂空区域,所述第二抗膨胀层设于所述镂空区域内。
6.根据权利要求4所述的邦定结构,其特征在于,所述第二衬底的靠近所述第二延伸部的侧面和所述第二延伸部之间形成镂空区域,所述第二抗膨胀层设于所述镂空区域内;
优选的,所述第二抗膨胀层在所述第二延伸部上的正投影与所述第二延伸部重合。
7.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,所述第一抗膨胀层或所述第二抗膨胀层的热膨胀系数为1.5×10-6/℃~3.0×10-6/℃;
优选的,所述第一抗膨胀层或所述第二抗膨胀层包括高分子复合材料;
优选的,所述绑定结构还包括导电胶,所述第一邦定部和所述第二邦部通过所述导电胶电连接;
优选的,在沿垂直于所述第一衬底所在平面的方向上,所述导电胶的厚度为1μm~12μm。
8.一种邦定结构制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一邦定件,包括第一衬底以及形成于所述第一衬底的第一邦定层,所述第一邦定层包括第一邦定部;
提供第二邦定件,包括第二衬底以及设于所述第二衬底的第二邦定层,所述第二邦定层包括第二邦定部;
在所述第一邦定部背离所述第二邦定部的一侧形成第一抗膨胀层,所述第一抗膨胀层的热膨胀系数小于所述第一衬底的热膨胀系数;和/或,在所述第二邦定部背离所述第一邦定部的一侧形成第二抗膨胀层,所述第二抗膨胀层的热膨胀系数小于所述第二衬底的热膨胀系数;
在预设温度下,通过压头对所述第一抗膨胀层和/或所述第二抗膨胀层施压以使所述第一邦定件和所述第二邦定件邦定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的