[发明专利]一种电子产品热环境拉偏试验方法

权利要求书

1.一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于，包括：

确定试验对象的设计特性，作为其定量拉偏试验的输入；

根据试验对象的设计特性，确定试验对象的拉偏试验极限；

确定高温拉偏定量模型、拉偏等级、温度循环拉偏定量模型以及温度循环拉偏等级；

制定试验对象的初始条件；

调整拉偏试验截止等级；

根据前序设定进行拉偏试验，获得拉偏试验结果，用于后续分析试验对象的薄弱环节。

2.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于：所述试验对象的设计特性包括与试验对象有关的设计方案、设计要求文件、电路图、功能框图、功能流程图、功能性能指标、故障判据、检测和监测方式、工作条件和工作环境、试验对象的历史使用数据，还包括试验对象的可靠性设计分析数据、外场使用时的故障数据。

3.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于，所述试验对象的拉偏试验极限包括：技术规范极限、设计极限、工作极限和破坏极限。

4.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于：所述高温拉偏定量模型为

SS＝1-exp(-0.0017(ΔT+0.6)^0.6t)

其中，SS为拉偏强度，实际表征相应环境应力对电子产品的影响大小；ΔT为拉偏范围，ΔT＝(T_U-T₀)℃；T_U为拉偏温度；T₀为初始高温温度；t为高温试验保持时间。

5.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于，所述拉偏等级包括四个等级，依次为，等级一：初始高温温度及对应时间，等级二：拉偏强度SS＝2％，等级三：拉偏强度SS＝4％，等级四：拉偏强度SS＝6％。

6.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于，所述温度循环拉偏定量模型包括：

SS＝0.1-0.1*exp{-0.0017(ΔT+0.6)^0.6[ln(e+v)]³N}

其中，SS为拉偏强度；ΔT为拉偏范围，ΔT＝(T_U-T₀)℃；T_U为拉偏温循范围；T₀为初始温循范围；N为循环次数；e为自然对数；v为温度变化速率(℃/min)，当升降温速率不同时，取温度变化速率平均值；v＝(|V₁|+|V₂|)/2，V₁为升温速率，V₂为降温速率。

7.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于，所述温度循环拉偏等级包括四个等级，依次为，等级一：初始温循范围、温变速率及对应循环次数，等级二：拉偏强度SS＝2％，等级三：拉偏强度SS＝4％，等级四：拉偏强度SS＝6％。

8.根据权利要求1所述的一种电子产品热环境拉偏试验方法，其特征在于，所述制定试验对象的初始条件的方法为以下条件任一：

第一条件：选择某一型号鉴定级条件作为初始条件；

第二条件：将该产品潜在应用型号的鉴定级条件以一定原则进行包络，使用包络后的条件作为初始条件；

第三条件：选择某一型号验收级条件作为初始条件；

第四条件：将该产品潜在应用型号的验收级条件以一定原则进行包络，使用包络后的条件作为初始条件

第五条件：将试验对象历史使用环境或预期使用环境中经历的最严酷的条件作为初始条件；

第六条件：采用试验对象通用规范或标准中给出的条件作为初始条件。