[发明专利]半导体装置及监测半导体装置的温度的方法在审
申请号: | 202210731046.5 | 申请日: | 2022-06-24 |
公开(公告)号: | CN115473416A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 刘思麟;连倍兴;陈翊文;张清河;洪照俊;彭永州 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M9/04;H03K3/57;G01K7/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 监测 温度 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:
一温度无关电流产生器,用以产生与温度无关的一参考电流及为该参考电流的一复制品的一镜像电流;
一第一脉冲信号产生器,耦接至该温度无关电流产生器且用以对该镜像电流进行采样以产生一脉冲信号;及
一第一计数器,耦接至该第一脉冲信号产生器且用以获取由该第一脉冲信号产生器产生的脉冲信号的一第一数量,当判定由此获得的脉冲信号的该第一数量小于一预定临限值时,允许该第一脉冲信号产生器产生该脉冲信号,且当判定由此获得的脉冲信号的该第一数量等于该预定临限值时,禁止该第一脉冲信号产生器产生该脉冲信号。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,其中该第一脉冲信号产生器包括:
一第一开关,耦接在该温度无关电流产生器与一节点之间;
一第二开关,耦接至该节点;
一电容器,并联耦接至该第二开关;及
一比较器,具有耦接至该节点的一第一比较器输入端、用以接收一参考电压的一第二比较器输入端以及耦接至该第一计数器的一比较器输出端。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,其中该温度无关电流产生器进一步用以:
产生一与绝对温度成比例电流及一与绝对温度互补电流;及
结合该与绝对温度成比例电流与该与绝对温度互补电流,以产生该参考电流。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,其中该温度无关电流产生器进一步用以产生为该参考电流的复制品的一第二镜像电流及一第三镜像电流,该半导体装置进一步包含:
一温度相关电流产生器,用以基于该第一镜像电流及该第二镜像电流产生与温度相关的一温度相关电流;
一第二脉冲信号产生器,耦接至该温度相关电流产生器且用以对该温度相关电流进行采样以产生一脉冲信号;及
一第二计数器,耦接至该第二脉冲信号产生器且用以对由该第二脉冲信号产生器产生的脉冲信号的一第二数量进行计数。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,其中该第二脉冲信号产生器包括:
一第一开关,耦接在该温度相关电流产生器与一节点之间;
一第二开关,耦接至该节点;
一电容器,并联耦接至该第二开关;及
一比较器,具有耦接至该节点的一第一比较器输入端、用以接收一参考电压的一第二比较器输入端以及耦接至该第二计数器的一比较器输出端。
6.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,其中该温度无关电流产生器进一步用以产生为该参考电流的复制品的该第二镜像电流及该第三镜像电流,且该温度相关电流产生器进一步用以:
基于该第二镜像电流产生一与绝对温度成比例电压及一与绝对温度互补电压中的一者;
将该与绝对温度成比例电压及该与绝对温度互补电压中的该一者转换为一与绝对温度成比例电流及一与绝对温度互补电流中的一者;及
自该第三镜像电流减去该与绝对温度成比例电流及该与绝对温度互补电流中的该一者,以提取该温度相关电流。
7.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,其中该温度相关电流产生器进一步包括一电流失配校正电路,用以减少一电流失配,且该第一计数器进一步用以产生一斩波信号以供该电流失配校正电路接收且用于周期性地反转该电流失配校正电路的一极性。
8.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,其中该温度相关电流产生器进一步包括一电压偏移校正电路,用以减小一电压偏移,且该第一计数器进一步用以产生一斩波信号以供该电压偏移校正电路接收且用于周期性地反转该电压偏移校正电路的一极性。
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H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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