[发明专利]弱化结构及其制作方法

权利要求书

1.一种弱化结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成具有多个镂空位以暴露至少部分所述衬底的桥接层；

提供多个Micro-LED芯片，将所述多个Micro-LED芯片分别沉积于对应的所述镂空位，以使得所述Micro-LED芯片连接于所述衬底以及所述镂空位；

在所述衬底或所述桥接层上沉积支撑层，沿所述衬底的厚度方向上，所述支撑层凸出于所述Micro-LED芯片的设有电极的一端，所述支撑层位于所述桥接层的外周，以使所述支撑层对应所述镂空位形成有避让位，所述避让位与所述镂空位连通；

在所述支撑层的背离所述衬底的一侧沉积牺牲层，并使得所述牺牲层填充所述避让位、所述镂空位；

在所述牺牲层上设置第一载板；

去除所述衬底以及所述牺牲层，以使所述Micro-LED芯片至少部分悬空位于所述避让位中，以形成所述弱化结构。

2.根据权利要求1所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成该具有多个镂空位以暴露部分所述衬底的桥接层，包括：

在所述衬底上沉积桥接层，并对所述桥接层进行图案化处理，以形成具有多个镂空位的所述桥接层。

3.根据权利要求1所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，所述镂空位具有多个内壁面，所述Micro-LED芯片连接于所述多个内壁面中的一个或多个，且所述多个内壁面中，至少一个所述内壁面至所述Micro-LED芯片之间具有间距。

4.根据权利要求1所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，所述桥接层包括多个主体部和多个桥接臂，多个所述主体部间隔排布于所述衬底上，相邻的两个所述主体部通过所述桥接臂相连接，各所述主体部均具有所述镂空位。

5.根据权利要求1所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在所述支撑层的背离所述衬底的一侧沉积牺牲层，且所述牺牲层填充所述避让位、所述镂空位之后，以及在所述牺牲层上设置第一载板之前，所述方法还包括：

去除所述牺牲层凸出所述支撑层的部分材料，以使所述牺牲层表面和所述支撑层的表面保持平坦；

在所述牺牲层的平坦表面上沉积连接层；

在所述连接层上设置所述第一载板。

6.根据权利要求5所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，所述连接层、所述桥接层、所述支撑层的材质为无机材料，所述牺牲层的材质为有机材料。

7.根据权利要求1-6任一项所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，沿所述衬底的厚度方向上，所述支撑层凸出所述Micro-LED芯片的高度为3um-5um。

8.根据权利要求1-6任一项所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述衬底以及所述牺牲层，形成所述弱化结构，包括

采用激光剥离方式去除所述衬底；

采用电浆蚀刻或药水浸泡方式去除所述牺牲层，以使所述micro-LED芯片悬空于所述避让位中，以形成所述弱化结构。

9.一种弱化结构，其特征在于，所述弱化结构包括

第一载板；

支撑层，所述支撑层设于所述第一载板上，所述支撑层具有多个避让位，以暴露至少部分所述第一载板；

桥接层，所述桥接层设于所述支撑层的背离所述第一载板的一侧，且所述支撑层位于所述桥接层的外周，所述桥接层对应所述避让位设有镂空位，所述镂空位连通于且位于所述避让位中；以及

Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片连接于所述镂空位且所述Micro-LED芯片的设有电极的一端自所述镂空位伸入至所述避让位中并悬空于所述避让位。

10.根据权利要求9所述的弱化结构，其特征在于，所述镂空位具有多个内壁面，所述Micro-LED芯片连接于所述多个内壁面中的一个或多个，且所述多个内壁面中，至少一个所述内壁面至所述Micro-LED芯片之间具有间距。