[发明专利]弱化结构及其制作方法

说明书

本申请公开了一种弱化结构及其制作方法，弱化结构的制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成具有多个镂空位的桥接层，将多个Micro‑LED芯片分别沉积于对应的镂空位，以使Micro‑ELD芯片连接于衬底及镂空位，在衬底或桥接层上沉积支撑层，沿衬底的厚度方向上，支撑层凸出Micro‑LED芯片设有电极的一端，支撑层位于桥接层的外周，以使支撑层对应镂空位形成避让位，在支撑层上沉积牺牲层，以使牺牲层填充避让位、镂空位，在牺牲层上设置第一载板，去除衬底及牺牲层，以使Micro‑LED芯片至少部分悬空于避让位中，以形成弱化结构。采用本申请的方案，有利于降低Micro‑LED芯片的转移难度，同时也能够降低在转移时对Micro‑LED芯片造成损坏的几率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种弱化结构及其制作方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)具有自发光显示特性，其为全固态发光二极管，具有寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、超高分辨率等特点，可应用于高温或辐射等极端环境中。相对于同为自发光显示的OLED技术，Micro-LED不仅效率较高、寿命较长，材料相对稳定，不易受环境影响，而且还能避免产生残影现象。

在微型发光二极管的制备工艺流程过程中，需要将数以万计甚至数以千万计的Micro-LED从第一载板上剥离下来，然后将剥离下来的Micro-LED转移到目标的显示基板上。然而，相关技术中，因Micro-LED直接胶接于第一载板上，在剥离时容易损伤Micro-LED，导致转移难度大，良率低，不利于转移。

发明内容

本申请实施例公开了一种弱化结构及其制作方法，能够降低Micro-LED的转移难度，提高转移良率。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例公开了一种弱化结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成具有多个镂空位以暴露至少部分所述衬底的桥接层；

提供多个Micro-LED芯片，将所述多个Micro-LED芯片分别沉积于对应的所述镂空位，以使得所述Micro-LED芯片连接于所述衬底以及所述镂空位；

在所述衬底或所述桥接层上沉积支撑层，沿所述衬底的厚度方向上，所述支撑层凸出于所述Micro-LED芯片的设有电极的一端，所述支撑层位于所述桥接层的外周，以使所述支撑层对应所述镂空位形成有避让位，所述避让位与所述镂空位连通；

在所述支撑层的背离所述衬底的一侧沉积牺牲层，并使得所述牺牲层填充所述避让位、所述镂空位；

在所述牺牲层上设置第一载板；

去除所述衬底以及所述牺牲层，以使所述Micro-LED芯片至少部分悬空位于所述避让位中，以形成所述弱化结构。

作为一种可选地实施方式，所述在所述衬底上形成该具有多个镂空位以暴露部分所述衬底的桥接层，包括：

在所述衬底上沉积桥接层，并对所述桥接层进行图案化处理，以形成具有多个镂空位的所述桥接层。

作为一种可选地实施方式，所述镂空位具有多个内壁面，所述Micro-LED芯片连接于所述多个内壁面中的一个或多个，且所述多个内壁面中，至少一个所述内壁面至所述Micro-LED芯片之间具有间距。

作为一种可选地实施方式，所述桥接层包括多个主体部和多个桥接臂，多个所述主体部间隔排布于所述衬底上，相邻的两个所述主体部通过所述桥接臂相连接，各所述主体部均具有所述镂空位。

作为一种可选地实施方式，多个所述主体部阵列排布，位于同一行的多个主体部之间通过所述桥接臂相连接，位于相邻行的多个主体部之间相互间隔设置。