[发明专利]一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底的背光面包括紧邻的第一区域和第二区域；

依次层叠在所述第一区域上的本征钝化层、第一掺杂类型的第一导电层、TCO层；

依次层叠在所述第二区域上的隧穿钝化层、硅介质层、含有第二掺杂类型的元素的掺杂介质层、本征钝化层、第一导电层、TCO层；其中，所述硅介质层的局部区域形成有重掺的第二导电层，所述第二导电层中含有所述第二掺杂类型的元素；位于所述第一区域上的所述第一导电层和所述第二导电层之间绝缘；

位于所述TCO层中所述第一区域对应部分上的第一电极；

以及位于所述第二导电层对应区域内的第二电极。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述掺杂介质层的材料选自：含有所述第二掺杂类型的元素的氧化硅、含有所述第二掺杂类型的元素的氮化硅、含有所述第二掺杂类型的元素的氮氧化硅、含有所述第二掺杂类型的元素的碳化硅中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅介质层的材料选自：本征氢化非晶硅、本征多晶硅、本征纳米氢化非晶硅、本征氢化微晶硅、本征非晶硅、本征微晶硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二区域中与所述第二导电层对应的部分的晶化率为60％-100％，晶粒粒径为5-100μm；

和/或，所述隧穿钝化层中与所述第二导电层对应的部分的晶化率为60％-100％，晶粒粒径为5-100μm；

和/或，所述第二导电层的晶化率为60％-100％，晶粒粒径为5-100μm。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述TCO层对于300-1200nm的波长的吸收系数为：100/cm-1×10⁷/cm。

6.根据权利要求1-5中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，

所述隧穿钝化层中与所述第二导电层对应的部分具有第二掺杂；所述第二电极位于所述第二导电层上，或，所述第二电极与所述隧穿钝化层中与所述第二导电层对应的部分接触。

7.根据权利要求1-5中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底第二区域中与所述第二导电层对应的部分具有第二掺杂；所述第二电极位于所述第二导电层上，或，所述第二电极与所述隧穿钝化层中与所述第二导电层对应的部分接触，或，所述第二电极与所述第二区域中与所述第二导电层对应的部分接触。

8.根据权利要求1-5中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一区域为绒面，所述第二区域为抛光面。

9.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二区域中与所述第二导电层对应的部分为绒面。

10.根据权利要求1-5中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有第二掺杂类型；所述第一区域的宽度，大于所述第二导电层在所述硅基底的背光面的第一投影的宽度，所述宽度所在的方向与第一区域、第二区域的分布方向平行；

所述第一区域的宽度，大于所述第二区域中位于所述第一区域和所述第一投影之间的部分的宽度。

11.根据权利要求10所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一区域的宽度与所述第一投影的宽度的比值为1.1-5，和/或，所述第一区域的宽度与所述第二区域中位于所述第一区域和所述第一投影之间的部分的宽度的比值为8-15。

12.根据权利要求1-5中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底为N型硅基底，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型的元素为N型元素。