[发明专利]一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件

说明书

本发明提供了一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面包括紧邻的第一区域和第二区域；依次层叠在所述第一区域上的本征钝化层、第一掺杂类型的第一导电层、TCO层；依次层叠在第二区域上的隧穿钝化层、硅介质层、含有第二掺杂类型的元素的掺杂介质层、本征钝化层、第一导电层、TCO层；其中，硅介质层的局部区域形成有第二导电层，第二导电层中含有所述第二掺杂类型的元素；位于第一区域上的第一导电层和第二导电层之间绝缘。本发明中，背接触太阳能电池的接触电阻较小，暗态饱和电流密度较小，可以提升背接触太阳能电池的填充因子，进而提升背接触太阳能电池的发电效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件。

背景技术

背接触太阳能电池，由于电极设置于电池背光面，可以有效降低短路电流损失，具有广阔的应用前景。

现有的背接触太阳能电池中，通常接触电阻较大，降低了背接触太阳能电池的发电效率。

发明内容

本发明提供一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件，旨在解决现有的背接触太阳能电池中，接触电阻较大，导致发电效率降低的问题。

本发明的第一方面，提供一种背接触太阳能电池，包括：

硅基底，所述硅基底的背光面包括紧邻的第一区域和第二区域；

依次层叠在所述第一区域上的本征钝化层、第一掺杂类型的第一导电层、TCO层；

依次层叠在所述第二区域上的隧穿钝化层、硅介质层、含有第二掺杂类型的元素的掺杂介质层、本征钝化层、第一导电层、TCO层；其中，所述硅介质层的局部区域形成有第二导电层，所述第二导电层中含有所述第二掺杂类型的元素；位于所述第一区域上的所述第一导电层和所述第二导电层之间绝缘；

位于所述TCO层中所述第一区域对应部分上的第一电极；

以及位于所述第二导电层对应区域内的第二电极。

本发明中，第二电极和重掺的第二导电层将该区域内的TCO功能替代，第二电极和重掺的第二导电层之间并没有TCO，同时，第二电极和重掺的第二导电层能够实现较小的接触电阻，并能够降低背接触太阳能电池的暗态饱和电流密度。并且，由于第二电极和重掺的第二导电层已将该区域内的TCO功能替代，第二电极和重掺的第二导电层之间并没有TCO，TCO层无需和第二导电层进行能带匹配，只需实现和第一导电层良好的能带匹配即可，进而位于第一导电层上的TCO层能够和第一导电层实现良好的能带匹配，可以降低第一导电层和TCO层的接触电阻，能够降低背接触太阳能电池的暗态饱和电流密度。综上所述，本发明的背接触太阳能电池的接触电阻较小，暗态饱和电流密度较小，可以提升背接触太阳能电池的填充因子，进而提升背接触太阳能电池的发电效率。

可选的，所述掺杂介质层的材料选自：含有所述第二掺杂类型的元素的氧化硅、含有所述第二掺杂类型的元素的氮化硅、含有所述第二掺杂类型的元素的氮氧化硅、含有所述第二掺杂类型的元素的碳化硅中的至少一种。

可选的，所述硅介质层的材料选自：本征氢化非晶硅、本征多晶硅、本征纳米氢化非晶硅、本征氢化微晶硅、本征非晶硅、本征微晶硅中的至少一种。

可选的，所述第二区域中与所述第二导电层对应的部分的晶化率为60％-100％，晶粒粒径为5-100μm；

和/或，所述隧穿钝化层中与所述第二导电层对应的部分的晶化率为60％-100％，晶粒粒径为5-100μm；

和/或，所述第二导电层的晶化率为60％-100％，晶粒粒径为5-100μm。

可选的，所述TCO层对于300-1200nm的波长的吸收系数为：100/cm-1×10⁷/cm。