[发明专利]反应腔室及半导体设备有效
申请号: | 202210743888.2 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN115125523B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 白云强;张源;李金龙;张洪;张文;谷孝刚;李补忠;郑建宇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/455;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 半导体设备 | ||
1.一种反应腔室,其特征在于,包括:
腔体;
承载装置,用于向所述腔体内传输晶片,所述承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板,多个所述承载板中的至少部分所述承载板的上表面用于承载所述晶片,多个所述承载板中的至少部分所述承载板内设有气体通道,所述气体通道贯穿所述承载板的下表面;
进气机构,所述进气机构穿过所述腔体的侧壁,且能够相对于所述腔体移动,以使所述进气机构能够与所述气体通道活动连接,所述进气机构用于与外部气源连通,以向所述气体通道内通入气体;
驱动机构,所述驱动机构与所述进气机构连接,用于驱动所述进气机构与所述气体通道连通或断开。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,多个所述承载板包括顶部的承载板、中间的承载板和底部的承载板,所述顶部的承载板内设有所述气体通道;所述中间的承载板的上表面用于承载所述晶片,且内部设置有所述气体通道;所述底部的承载板的上表面用于承载所述晶片。
3.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述气体通道包括进气通道和多个出气通道,所述进气通道沿垂直于所述承载板的厚度方向延伸,所述承载板的一侧面开设有插接孔,所述插接孔与所述进气通道连通;所述出气通道沿所述承载板的厚度方向延伸,且所述出气通道的入口端与所述进气通道连通,所述出气通道的出口端贯穿所述承载板的下表面。
4.根据权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,所述承载板的上表面设有多个晶片承载位,每个所述晶片承载位用于承载一个所述晶片,多个所述出气通道与多个所述晶片承载位一一对应设置。
5.根据权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,所述进气机构包括多个气管,多个所述气管穿过所述腔体的侧壁分别与多个所述插接孔活动连接,且所述气管与所述腔体密封连接。
6.根据权利要求5所述的反应腔室,其特征在于,所述驱动机构包括驱动装置和连接件,所述驱动装置与所述连接件传动连接,所述驱动装置和所述连接件设于所述腔体外部,多个所述气管从上至下依次与所述连接件连接,所述连接件用于在所述驱动装置的驱动下,带动所述气管与所述插接孔连通或断开。
7.根据权利要求6所述的反应腔室,其特征在于,所述驱动机构还包括导向件,所述导向件的一端连接于所述腔体的侧壁,另一端穿过设于所述连接件上的导向孔,所述导向件与所述连接件滑动连接。
8.根据权利要求7所述的反应腔室,其特征在于,所述腔体的侧壁上设有多个通孔,多个所述通孔与多个所述气管一一对应设置,所述气管可滑动地穿设于所述通孔内;所述通孔与所述气管之间设有第一密封组件。
9.根据权利要求8所述的反应腔室,其特征在于,所述第一密封组件套设在所述气管外,所述第一密封组件包括第一密封法兰、间隔环、第一密封圈和第二密封圈,所述第一密封圈和所述第二密封圈之间设有所述间隔环;所述通孔为阶梯孔,所述第一密封圈抵压在所述阶梯孔的阶梯面上,所述第一密封法兰抵压在所述第二密封圈上。
10.根据权利要求5所述的反应腔室,其特征在于,所述插接孔为喇叭状,所述气管的出气端为锥形出气端,每个所述锥形出气端插接在一个所述喇叭状的所述插接孔。
11.根据权利要求5所述的反应腔室,其特征在于,所述进气机构还包括第二密封组件,所述第二密封组件套设在靠近所述气管的出气端处,所述第二密封组件包括第二密封法兰和第三密封圈,所述第二密封法兰朝向所述气管的出气端的一侧设有密封槽,所述密封槽内设有所述第三密封圈,所述第二密封组件用于将所述气管的出气端与所述气体通道密封连接。
12.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括如权利要求1-11任意一项所述反应腔室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210743888.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的