[发明专利]反应腔室及半导体设备

说明书

一种反应腔室及半导体设备，反应腔室包括：腔体；承载装置，用于向腔体内传输晶片，承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板，多个承载板中的至少部分承载板的上表面用于承载晶片，多个承载板中的至少部分承载板内设有气体通道，气体通道贯穿承载板的下表面；进气机构，进气机构穿过腔体的侧壁，且能够相对于腔体移动，以使进气机构能够与气体通道活动连接，进气机构用于与外部气源连通，以向气体通道内通入气体；驱动机构，驱动机构与进气机构连接，用于驱动进气机构与气体通道连通或断开。该反应腔室能够提高布气均匀性，提高气体的利用率。

技术领域

本发明属于半导体设备领域，更具体地，涉及一种反应腔室及包括该反应腔室的半导体设备。

背景技术

近年来，由于太阳能电池的产能越来越高，半导体设备的腔体尺寸越来越大，对产品性能的要求也越来越高。在PECVD镀膜工艺中，对太阳能电池片的镀膜均匀性要求也越来越严格。在PECVD镀膜工艺中，气场的均匀性对镀膜均匀性影响较大，提高布气的均匀性可有效提高镀膜的均匀性，从而提高电池效率。

图1示出现有PECVD设备的布气结构示意图。如图1所示，石墨舟1包括多个舟叶，能够承载多个晶片3。当石墨舟1进入腔体后，由进气装置4供给的气体(可以是一般性气体或特气，例如CF₄、NH₃等)通过喷淋头(showerhead)2进入腔体，喷淋头2起到匀流作用，气体从喷淋头2喷出后从相邻的舟叶之间以及舟叶与腔体之间流过，在抽气装置5的作用下从石墨舟1的一侧流动到另一侧，匀流板6进一步起到匀流作用。气体经过舟叶之间时被射频电源电离成等离子体，沉积在晶片3上。

现有设备依靠喷淋头2和匀流板6进行匀流，从舟叶与腔体之间逃逸的气体较多，难以达到较好的气场均匀性，且造成气体利用率低。气场均匀性较低进一步导致对腔体压力等工艺参数的要求提高，工艺窗口较窄。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有较高的气场均匀性的反应腔室及包括该反应腔室的半导体设备。

为了实现上述目的，本发明提供一种反应腔室，包括：

腔体；

承载装置，用于向所述腔体内传输晶片，所述承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板，多个所述承载板中的至少部分所述承载板的上表面用于承载所述晶片，多个所述承载板中的至少部分所述承载板内设有气体通道，所述气体通道贯穿所述承载板的下表面；

进气机构，所述进气机构穿过所述腔体的侧壁，且能够相对于所述腔体移动，以使所述进气机构能够与所述气体通道活动连接，所述进气机构用于与外部气源连通，以向所述气体通道内通入气体；

驱动机构，所述驱动机构与所述进气机构连接，用于驱动所述进气机构与所述气体通道连通或断开。

优选地，多个所述承载板包括顶部的承载板、中间的承载板和底部的承载板，所述顶部的承载板内设有所述气体通道；所述中间的承载板的上表面用于承载所述晶片，且内部设置有所述气体通道；所述底部的承载板的上表面用于承载所述晶片。

优选地，所述气体通道包括进气通道和多个出气通道，所述进气通道沿垂直于所述承载板的厚度方向延伸，所述承载板的一侧面开设有插接孔，所述插接孔与所述进气通道连通；所述出气通道沿所述承载板的厚度方向延伸，且所述出气通道的入口端与所述进气通道连通，所述出气通道的出口端贯穿所述承载板的下表面。

优选地，所述承载板的上表面设有多个晶片承载位，每个所述晶片承载位用于承载一个所述晶片，多个所述出气通道与多个所述晶片承载位一一对应设置。

优选地，所述进气机构包括多个气管，多个所述气管穿过所述腔体的侧壁分别与多个所述插接孔活动连接，且所述气管与所述腔体密封连接。