[发明专利]一种LDMOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，于所述衬底的上表层形成一第一导电类型埋层，并于所述埋层的上表面形成一第二导电类型外延层；

于所述外延层中形成包括有源区及两个位于所述有源区中且间隔预设距离的第一导电类型漂移区，并于所述漂移区的上表面形成栅极结构，于所述漂移区的上表层形成与所述漂移区侧壁间隔预设距离的第一导电类型漏极区，且所述栅极结构的一端延伸至所述漏极区的上表面，所述漏极区之间的间隔距离大于所述栅极结构之间的间隔距离；

于所述栅极结构及所述有源区的显露表面形成覆盖所述栅极结构及所述有源区显露表面的层间介质层，并于所述层间介质层中形成贯穿所述层间介质层并显露出所述漏极区的第一接触孔，且所述第一接触孔的底面低于所述漏极区的上表面；

对所述第一接触孔进行第一导电类型离子注入，于所述第一接触孔中形成第一插塞并快速退火以使所述第一插塞非晶化，同时使所述第一插塞与所述漏极区的接触处形成非晶化高阻区。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：形成的所述栅极结构包括场板层、栅介质层、栅导电层及隔离侧墙。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：还包括形成位于所述外延层中且间隔预设距离的第二导电类型深阱区、开口向上且位于所述深阱区中的两个沟槽、填充所述沟槽的隔离层、位于所述漂移区之间的第二导电类型沟道区、位于所述沟道区上表层并间隔预设距离的两个第一导电类型源极区及位于所述两个所述源极区之间的所述沟道区上表层的第二导电类型沟道接触区的步骤，且所述沟道区的侧壁与所述漂移区的侧壁间隔预设距离，所述源极区的侧壁与所述沟道区的侧壁间隔预设距离，所述有源区位于所述沟槽之间。

4.根据权利要求3所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：形成所述栅极结构之后，形成所述层间介质层之前，还包括于所述栅极结构的上表面及所述栅极结构之间的所述有源区的上表面形成接触电阻调节层的步骤。

5.根据权利要求3所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：还包括于所述层间介质层中形成贯穿所述层间介质层并显露出所述源极区的第二接触孔、贯穿所述层间介质层并显露出所述沟道接触区的第三接触孔及分别填充所述第二接触孔与所述第三接触孔的第二插塞和第三插塞的步骤。

6.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：形成的所述第一接触孔的底面低于所述有源区的上表面的深度范围为100 Å~300 Å。

7.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：于所述第一接触孔中进行第一导电类型离子注入的剂量范围为5×10¹³/cm² ~8×10¹⁴/cm²。

8.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：对所述第一接触孔进行第一导电类型离子注入之后，形成所述第一插塞之前还包括对所述第一接触孔进行清洗的步骤，且对所述第一接触孔清洗后，所述第一接触孔的底面朝向所述衬底方向延伸的长度范围为50 Å~100 Å。

9.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：形成所述第一插塞的过程中还包括于所述第一接触孔中形成第一预设厚度的粘附层及第二预设厚度的所述第一插塞的主体的步骤。

10.根据权利要求9所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：所述粘附层包括Ti，所述粘附层的厚度范围为200 Å~300 Å。

11.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于：对所述第一插塞进行快速退火的温度范围为750 ℃~850 ℃，退火时间范围为20 min~1 h。