[发明专利]扫描电镜二次电子探测器

说明书

本发明公开了一种扫描电镜二次电子探测器，所述扫描电镜二次电子探测器包括：筒体组件、栅网组件、导光柱、闪烁体、高压线、馈电组件、KF法兰支架、紧固件、外壳、光电倍增镜和电源。根据本发明的扫描电镜二次电子探测器，通过在馈电组件的馈电端设置馈口，馈口内具有馈电针，馈电针与高压线的另一端通过贯穿孔连接，KF法兰支架设于馈电端和筒体组件之间，实现从馈口到第一容纳空间的密封性，从而保证高压线和馈电针处在密封的空间内，进而保证扫描电镜二次电子探测器工作时，高压线和馈电针位于真空密封的环境内，有效减少高压线对电信号的干扰，使二次电子成像更加清晰。

技术领域

本发明涉及扫描电镜领域，尤其是涉及一种扫描电镜二次电子探测器。

背景技术

SEM(Scanning Electron Microscope，扫描电子显微镜)是一种用于高分辨率微区形貌分析的大型精密仪器，其在材料、生命科学等领域有着非常广泛的应用。SEM的测样动作是高能电子束打在固定在标准样品托表面的试样品上，试验品表面被高能电子束轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子称为二次电子，由于二次电子对样品的表面形貌十分敏感，由此，能有效的显示样品的表面形貌，因此SEM的主要成像方式是二次电子像。

其中，在SEM应用中，扫描电镜二次电子探测器用于收集和分析二次电子，而在扫描电镜二次电子探测器中，高压线用于为闪烁体提供20KV的高压，使得闪烁体可以将收集的二次电子转化为光信号。在现有的扫描电镜二次电子探测器中，部分高压线处于非真空的环境，在高压线传输高压时，容易对电信号产生干扰，从而影响二次电子的成像。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种扫描电镜二次电子探测器，所述扫描电镜二次电子探测器的成像效果更清晰。

根据本发明实施例的扫描电镜二次电子探测器，包括：筒体组件，所述筒体组件内形成第一容纳空间，所述第一容纳空间的轴向两端敞开，所述筒体组件的周壁具有贯穿孔；栅网组件，所述栅网组件设于所述筒体组件的轴向一端；导光柱，所述导光柱设于所述第一容纳空间内；闪烁体，所述闪烁体设于所述导光柱的朝向所述栅网组件的一侧，并与所述导光柱止抵；高压线，所述高压线设于所述第一容纳空间内，所述高压线的一端适于与所述闪烁体电连接；馈电组件，所述馈电组件的馈电端具有馈口，所述馈口内具有馈电针，所述高压线的另一端穿过所述贯穿孔与所述馈电针连接；KF法兰支架，所述KF法兰支架设于所述馈电端和所述筒体组件之间；紧固件，所述紧固件设于所述馈电端的远离所述筒体组件中心线的一侧，所述紧固件上设有供所述馈电组件穿过的避让孔，所述紧固件与所述筒体组件连接用于将所述馈电组件和所述KF法兰支架固定于所述筒体组件；外壳，所述外壳具有第二容纳空间，所述外壳的一端与所述筒体组件的远离所述栅网组件的一端连接，所述第一容纳空间和所述第二容纳空间连通；光电倍增管，所述光电倍增管设于所述第二容纳空间内，所述导光柱的远离所述闪烁体的一端伸入所述第二容纳空间内与所述光电倍增管止抵；电源，所述电源设于所述第二容纳空间内且位于所述光电倍增管的远离所述导光柱的一侧且与所述光电倍增管连接。

根据本发明实施例的扫描电镜二次电子探测器，通过在馈电组件的馈电端设置馈口，馈口内具有馈电针，馈电针与高压线的另一端通过贯穿孔连接，KF法兰支架设于馈电端和筒体组件之间，紧固件与筒体组件连接用于将馈电组件和KF法兰支架固定于筒体组件，实现从馈口到第一容纳空间的密封性，从而保证高压线和馈电针处在密封的空间内，进而保证扫描电镜二次电子探测器工作时，高压线和馈电针位于真空密封的环境内，有效减少高压线对电信号的干扰，使二次电子成像更加清晰。同时，由于高压线全部位于真空密封的环境内，使得扫描电镜二次电子探测器整体结构紧凑，占用空间少，有效地解决了扫描电镜二次电子探测器布局空间不足的问题。另外，扫描电镜二次电子探测器的部件可以预先装配后，直接将扫描电镜二次电子探测器与SEM预留的安装孔连接，由此，使用该扫描电镜二次电子探测器的SEM安装便捷，提高SEM整体的安装效率。